[发明专利]一种三维异构AIP芯片的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在晶圆的正面贴上研磨胶带，然后对晶圆的背面进行研磨减薄；

步骤二：对晶圆进行划片处理，先去除研磨胶带，然后在晶圆背面贴上划片胶带，对晶圆进行划片，形成毫米波芯片(1)；

步骤三：提供一贴有临时键合胶(2)的载板(3)，将毫米波芯片(1)贴在临时键合胶(2)上，在毫米波芯片(1)的上表面涂覆第一石墨烯层(4)，在第一石墨烯层(4)上涂布反射层(5)；然后对毫米波芯片(1)、第一石墨烯层(4)以及反射层(5)进行塑封，塑封完成后对形成的第一塑封层(6)进行研磨，形成一次塑封件；

步骤四：在第一塑封层(6)上涂布第一介电层(7)，然后对第一塑封层(6)进行打孔形成通孔(8)，采用电镀的方法把Cu填满通孔(8)；采用金属沉积的方法在一次塑封件的上表面按顺序镀上Ti和Cu，形成第一种子层，然后采用蚀刻的方法对第一种子层进行曝光和显影，形成上线路层(9)；

步骤五：在上线路层(9)上放置IPD芯片(10)并布设天线层(11)，接着涂覆第二石墨烯层(12)覆盖天线层(11)和上线路层(9)，然后对上线路层(9)、IPD芯片(10)、天线层(11)以及第二石墨烯层(12)进行塑封，形成二次塑封件；

步骤六：拆除临时键合胶(2)，把二次塑封件上、下翻转，在二次塑封件的下表面布设第二介电层，然后按顺序镀上Ti和Cu，形成第二种子层；再采用蚀刻的方法对第二种子层进行曝光和显影，形成下线路层(13)；在下线路层(13)上植锡球(14)，完成AIP芯片的封装。

2.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤三中，第一石墨烯层(4)的涂覆方式为印刷、喷涂或机械压合。

3.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤三中，第一石墨烯层(4)为单层或多层石墨烯分子层排列的结构。

4.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤三中，第一石墨烯层(4)的厚度为0.1nm～1000nm。

5.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤三中，第一石墨烯层(4)为石墨烯膏，厚度为1000nm～10mm。

6.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤五中，第二石墨烯层(12)为单层或多层石墨烯分子层排列的结构，厚度为0.1nm～1000nm。

7.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤五中，第二石墨烯层(12)的涂覆方式为印刷、喷涂或机械压合。

8.如权利要求1所述的三维异构AIP芯片的封装方法，其特征在于：步骤五中，第二石墨烯层(12)为石墨烯膏，厚度为1000nm～10mm。

9.一种三维异构AIP芯片封装结构，其特征在于，采用权利要求2-8任一项所述的封装方法制作而成。

10.一种三维异构AIP芯片封装结构，其特征在于，包括：毫米波芯片(1)，毫米波芯片(1)的上表面依次形成有第一石墨烯层(4)和反射层(5)；毫米波芯片(1)、第一石墨烯层(4)以及反射层(5)外塑封有第一塑封层(6)，第一塑封层(6)开设有通孔(8)，通孔(8)内填充满Cu，形成连接柱，连接柱的上端连接有上线路层(9)，下端连接有下线路层(13)；上线路层(9)连接有IPD芯片(10)，下线路层(13)连接有锡球(14)；

第一塑封层(6)的上表面设有天线层(11)以及第二石墨烯层(12)，第二石墨烯层(12)包覆在天线层(11)以及上线路层(9)外；IPD芯片(10)、天线层(11)、上线路层(9)以及第二石墨烯层(12)外包覆有第二塑封层(15)。