[发明专利]一种单键开关机与复位电路有效

专利信息
申请号: 201911043066.8 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN110868200B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 张江 申请(专利权)人: 安徽国广数字科技有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/22;H03K17/51;G05B19/042
代理公司: 深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙) 44581 代理人: 赫巧莉
地址: 230000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单键 开关机 复位 电路
【说明书】:

发明提供一种单键开关机与复位电路,包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路;所述三级管电路包括三极管Q2以及与所述三级管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1;所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接,且在该7404非门电路与三级管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3;所述三极管Q2的发射极接公共地;所述MOS管电路包括MOS管Q1,该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管;且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT,MOS管Q1的源极接外部电源BAT,MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极,实际应用过程中,可避免MCU程序跑飞而意外关机,也可以实现MCU任意状态的软硬件复位,产品电源不受影响。

[技术领域]

本发明涉及开关机与复位电路技术领域,尤其涉及一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机,也可以实现MCU任意状态的软硬件复位,且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。

[背景技术]

随着智能化家居的普及,现代智能设备体积越来越小,性能越来越强。很多设备都需要做到尽量节能,所以在很多时候都必不可少关机和复位功能,由于产品的体积问题,这两个功能会尽量做到一个按键上。

目前较为常见的单键开关机和复位电路,一般原理如下:当按下SW1按键,Q1PMOS的栅极为低,Q1导通,VBAT有电压,VBAT通过DCDC变换得到MCU供电的电压VCC,同时MCU工作,给POWER_HOLD一个持续的高电平,从而保持Q1的导通状态,松开按键后,产品也是有电的,POWER_HOLD输出低电平实现关机功能。但此电路有一个严重的缺陷,MCU必需给一个稳定的POWER_HOLD高电平信号,一旦MCU被辐射干扰,或是本身程序出问题,产品便会掉电。

怎样在此电路的基础上进行改进,解决以上所述的缺陷,是本领域技术人员经常考虑的问题,也进行了大量的研发与实验,并取得了较好的成绩。

[发明内容]

为克服现有技术所存在的问题,本发明提供一种可以有效避免MCU程序跑飞而意外关机,也可以实现MCU任意状态的软硬件复位,且产品电源不受影响的单键开关机与复位电路。

本发明解决技术问题的方案是提供一种单键开关机与复位电路,包括三极管电路、与所述三极管电路相连接的MOS管电路以及与所述三极管电路、MOS管电路相连接的7404非门电路;所述三极管电路包括三极管Q2以及与所述三极管Q2相连接的电阻R4、电阻R5以及电容C1;所述三极管Q2的基极与7404非门电路一端相连接,且在该7404非门电路与三极管Q2基极的连接线路上串接有一电阻R3;所述三极管Q2的发射极接公共地;所述MOS管电路包括MOS管Q1,该MOS管Q1为P沟道增强型MOS管;且所述MOS管Q1的漏极接外部电源电压VBAT,MOS管Q1的源极接外部电源BAT,MOS管Q1的栅极接三极管Q2的集电极;所述MOS管Q1的源极与栅极之间还并联连接有一第一电阻电路,该第一电阻电路中串联连接有一电阻R1;所述三极管Q2的基极通过一第二电阻电路连接MOS管Q1的漏极,该电阻R5串接于所述第二电阻电路中;所述三极管Q2的基极与发射极之间还并联连接有一第三电阻电路和第一电容电路;该电阻R4串接于所述第三电阻电路中;该电容C1串接于所述第一电容电路中;所述MOS管Q1的栅极还连接有一二极管电路;该二极管电路中串接有一二极管D1以及控制按钮SW1,所述二极管电路相对于MOS管Q1栅极的另一端接公共地;还包括与所述二极管电路的二极管D1和控制按钮SW1连线部位相连接的另一复位电路;该复位电路中串联连接有一二极管D2,且复位电路一端连接外部芯片的MCU-RESET触点;所述7404非门电路相对于三极管Q2基极的另一端连接外部芯片的POWER-HOLD触点。

优选地,所述复位电路上还连接有一第四电阻电路;该第四电阻电路中串接有一电阻R2;且所述第四电阻电路一端接外部电源电压VCC。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽国广数字科技有限公司,未经安徽国广数字科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911043066.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top