[发明专利]电致变色玻璃制备方法

权利要求书

1.一种电致变色玻璃制备方法，其特征在于，包括：

提供基材玻璃层，并将所述基材玻璃层升温至280-300℃；

以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积第一透明导电层至所述基材玻璃层上；

以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少两种组合的氧化物为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积第一辅助变色层至所述第一透明导电层上；

以H、Li、Na、K、Mg元素的一种或者至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积第一离子导体层至所述第一辅助变色层上；

以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少两种组合的氧化物为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积第一变色层至所述第一离子导体层上；

以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积第二透明导电层至所述第一变色层上；

以Si、Ti、Zn、Sn、Nb、Ta之一的氧化物或氮化物或氮氧化物为靶材材料，在真空溅射气压为1.0E^-3～9.0E^-3mbar条件下沉积所述外层保护层至所述第二透明导电层上。

2.一种电致变色玻璃制备方法，其特征在于，包括：

提供基材玻璃层；

在所述基材玻璃层上镀制第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上镀制第一辅助变色功能层；

在所述第一辅助变色功能层上镀制第一离子导体层；

在所述第一离子导体层上镀制第一变色层；

在所述第一变色层上镀制第二透明导电层；以及

在所述第二透明导电层上镀制外层保护层。

3.根据权利要求2所述的电致变色玻璃制备方法，其特征在于，所述在所述基材玻璃层上镀制第一透明导电层包括：

将所述基材玻璃层升温至预设温度；以及

以FTO、ITO、IGZO、AZO、GZO、Ag中的一种或至少两种的组合为靶材材料，在第一预设真空溅射气压下沉积所述第一透明导电层至所述基材玻璃层上。

4.根据权利要求3所述的电致变色玻璃制备方法，其特征在于，所述预设温度的范围为280-300℃；所述第一预设真空溅射气压的范围为1.0E^-3～9.0E^-3mbar。

5.根据权利要求2所述的电致变色玻璃制备方法，其特征在于，所述在所述第一透明导电层上镀制第一辅助变色功能层具体为：

以Ni、V、Co、Ir、Fe、Mn中至少两种组合的氧化物为靶材材料，在第二预设真空溅射气压条件下沉积所述第一辅助变色层至所述第一透明导电层上。

6.根据权利要求2所述的电致变色玻璃制备方法，其特征在于，所述在所述第一辅助变色功能层上镀制第一离子导体层具体为：

以H、Li、Na、K、Mg元素的一种或者至少两种的组合为靶材材料，在第三预设真空溅射气压条件下沉积所述第一离子导体层至所述第一辅助变色功能层上。

7.根据权利要求2所述的电致变色玻璃，其特征在于，所述在所述第一离子导体层上镀制第一变色层具体为：

以W、Mo、Nb、Ti、Ta中至少两种组合的氧化物为靶材材料，在第四预设真空溅射气压下沉积所述第一变色层至所述第一离子导体层上。