[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，此方法包含在鳍上外延成长源极/漏极部件，在外延源极/漏极部件上方形成硅化物层，在硅化物层上形成晶种金属层，使用由下而上成长方法在晶种金属层上方形成接触金属层，以及在接触金属层上方沉积填充金属层。

技术领域

本发明实施例系有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步也增加了加工及制造集成电路的复杂性，且为了实现这些进步，需要在集成电路的加工和制造中进行相似的发展。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一晶片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件)缩小。

举例来说，随着部件尺寸持续缩小，各种元件等级金属接点的制造变得更具挑战性。在较小的长度规模中，金属接点需进入小的空间中，同时将接触电阻最小化。虽然元件尺寸接点的现有形成方法一般为适用的，但是这些方法在各方面并非完全地令人满意。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含在鳍上外延成长源极/漏极部件；在源极/漏极部件上方形成硅化物层；在硅化物层上形成晶种金属层；使用由下而上成长方法在晶种金属层上方形成接触金属层；以及在接触金属层上方沉积填充金属层。

在一些其他实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含鳍，设置于基底上；第一金属栅极堆叠物及第二金属栅极堆叠物，设置于鳍上；第一间隙壁及第二间隙壁，分别设置于第一金属栅极堆叠物及第二金属栅极堆叠物的侧壁上；源极/漏极部件，设置于鳍上且在第一金属栅极堆叠物与第二金属栅极堆叠物之间；硅化物层，设置于源极/漏极部件上方；晶种金属层，设置于硅化物层上；以及由下而上金属层，设置于晶种金属层上方且在第一间隙壁与第二间隙壁之间，其中由下而上金属层直接接触第一间隙壁及第二间隙壁。

在另外一些实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含鳍，设置于基底上；第一金属栅极堆叠物及第二金属栅极堆叠物，设置于鳍上；第一间隙壁及第二间隙壁，分别设置于第一金属栅极堆叠物及第二金属栅极堆叠物的侧壁上；源极/漏极部件，设置于鳍上且在第一金属栅极堆叠物与第二金属栅极堆叠物之间；以及接触部件，位于源极/漏极部件上，其中接触部件更包含硅化物层，设置于源极/漏极部件上方；第一金属的晶种金属层，设置于硅化物层上；以及第二金属的由下而上金属层，设置于晶种金属层上方且在第一间隙壁与第二间隙壁之间，其中第二金属在组成中不同于第一金属。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式可以更加理解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1为鳍式场效电晶体(fin field effect transistor，FinFET)装置的范例的透视图。

图2显示依据本发明各种实施例的鳍式场效电晶体装置的制造方法的流程图。

图3A、3B、3C、3D及3E为依据本发明各种实施例的鳍式场效电晶体装置的各个制造阶段的X切面的局部剖面示意图。图3F和3G分别为图3E显示的鳍式场效电晶体装置的局部上视图和Y切面的局部剖面示意图。

图4A、4B、4C、4D及4E为依据本发明各种实施例的另一鳍式场效电晶体装置的各个制造阶段的X切面的局部剖面示意图。图4F和4G分别为图4E显示的鳍式场效电晶体装置的局部上视图和Y切面的局部剖面示意图。

图5A、5B、5C、5D及5E为依据本发明各种实施例的另一鳍式场效电晶体装置的各个制造阶段的X切面的局部剖面示意图。图5F和5G分别为图5E显示的鳍式场效电晶体装置的局部上视图和Y切面的局部剖面示意图。