[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

对半导体衬底执行第一注入工艺以形成深p阱区域；

利用扩散阻滞元素对所述半导体衬底执行第二注入工艺以形成共同注入区域；

对所述半导体衬底执行第三注入工艺，以在所述深p阱区域上方形成浅p阱区域，其中，所述共同注入区域通过所述浅p阱区域的一部分与所述半导体衬底的顶表面间隔开，并且所述深p阱区域和所述浅p阱区域彼此连接；以及

形成n型鳍式场效应晶体管，所述深p阱区域和所述浅p阱区域用作所述n型鳍式场效应晶体管的阱区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二注入工艺中，注入碳。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述半导体衬底进行注入，以形成连接所述深p阱区域和所述浅p阱区域的n阱区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二注入工艺包括倾斜注入，并且所述共同注入区域延伸至所述n阱区域中。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽，其中，所述深p阱区域的一部分和所述浅p阱区域的一部分位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，并且其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部低于所述共同注入区域的底部。

6. 根据权利要求5所述的方法，还包括：

填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以分别形成第一隔离区域和第二隔离区域；以及

凹陷所述第一隔离区域和所述第二隔离区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一隔离区域和所述第二隔离区域的顶表面与所述共同注入区域的顶表面齐平。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一隔离区域和所述第二隔离区域的顶表面低于所述共同注入区域的顶表面。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述半导体衬底进行注入以在所述共同注入区域中形成抗穿通区域。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方形成第一注入掩模；

对所述半导体衬底执行第一注入工艺以形成p阱区域，其中，通过所述第一注入掩模来执行所述第一注入工艺；

对所述半导体衬底执行第二注入工艺以形成共同注入区域，其中，通过所述第一注入掩模来注入碳；

去除所述第一注入掩模；

在所述半导体衬底上方形成第二注入掩模；

对所述半导体衬底执行第三注入工艺，以形成与所述p阱区域连接的n阱区域，其中，通过所述第二注入掩模来执行所述第三注入工艺；以及

分别基于所述p阱区域和所述n阱区域来形成n型鳍式场效应晶体管和p型鳍式场效应晶体管。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二注入工艺包括通过所述第一注入掩模的倾斜注入。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二注入工艺除了所述倾斜注入之外还包括旋转注入。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

蚀刻所述半导体衬底以形成延伸到所述半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽，其中，所述p阱区域的一部分位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，并且其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部低于所述共同注入区域的底部。