[发明专利]一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法有效
| 申请号： | 201911044426.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111230598B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李春忠;吴皓;朱莉 | 申请（专利权）人： | 德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B41/06;B28D5/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 313299 浙江省湖州市德*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 铌酸锂 晶片 制备 方法 | ||
1.一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：
（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成厚度为0.55~0.6mm的晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀，一次腐蚀去除晶片质量2.8~3.2g；
（2）还原黑化；
（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄至厚度为0.5~0.55mm，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀，二次腐蚀去除晶片质量2.8~3.2g；
（4）抛光；
（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，三次腐蚀时间110~130min；清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。
2.根据权利要求1所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（1）、（3）、（5）中所述的腐蚀液为体积比为1：（1~2）的硝酸和氢氟酸。
3.根据权利要求1或2所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（1）中切割成的晶片用倒角机倒成C型边。
4.根据权利要求1所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（2）中还原黑化的方法为：将一次腐蚀后的晶片用还原剂印刷后装入还原炉内，加热到450~500℃然后降温到室温取出。
5.根据权利要求4所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，所述还原剂为碳粉。
6.根据权利要求1所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（4）中采用多孔陶瓷吸盘吸附晶片抛光，抛光压力300g/cm2，转速35rpm，抛光时间30min，抛光液流量1L/min。
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