[发明专利]太赫兹信号探测器及其制备方法有效
申请号: | 201911045501.0 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110783354B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 戴阳;邵龑;杨春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;但念念 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 信号 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种太赫兹信号探测器,其特征在于,所述太赫兹信号探测器包括衬底、设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列、支撑结构及反射层,所述支撑结构为可伸缩结构,位于所述衬底与所述反射层之间,所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元,每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源极与所述太赫兹信号接收层电连接,所述薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接,所述薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接,所述薄膜晶体管用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。
2.根据权利要求1所述的太赫兹信号探测器,其特征在于,所述太赫兹信号接收层包括太赫兹信号转换层、热敏层,所述热敏层设于所述衬底与所述太赫兹信号转换层之间。
3.根据权利要求2所述的太赫兹信号探测器,其特征在于,所述太赫兹信号转换层包括导热层、太赫兹信号吸收层,所述导热层设于所述热敏层与所述太赫兹信号吸收层之间。
4.根据权利要求3所述的太赫兹信号探测器,其特征在于,所述太赫兹信号吸收层包括两层金属层及设于所述两层金属层之间的中间介质层。
5.根据权利要求1~4任一所述的太赫兹信号探测器,其特征在于,所述衬底的材质为聚酰亚胺,所述衬底的厚度不大于100微米。
6.一种太赫兹信号探测器的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括步骤:
提供一衬底;
在所述衬底上图案化形成多条信号线、多条数据线以及多个呈阵列设置的薄膜晶体管,所述多条信号线与所述多条数据线交叉限定多个像素单元,每一个像素单元包括一个薄膜晶体管,每一个像素单元中的薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接,每一个像素单元中的薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接;
在所述衬底上图案化形成多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层,每一个像素单元包括一个太赫兹信号接收层,所述多个呈阵列设置的太赫兹信号接收层与所述多个呈阵列设置的薄膜晶体管一一对应,每一个像素单元中的薄膜晶体管的源极与对应的太赫兹信号接收层电连接;
在基板上沉积金属层;
在所述金属层上制备支撑结构,所述支撑结构为可伸缩结构;
将获得的形成有所述信号线、所述数据线、所述薄膜晶体管以及所述太赫兹信号接收层的所述衬底与所述支撑结构固定,获得太赫兹信号探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的