[发明专利]长晶炉

说明书

本发明公开了一种长晶炉，该长晶炉包括炉体和炉盖，炉体具有腔室，炉体上部开设有与所述腔室连通的开口，所述开口处套设有法兰体；所述炉盖设置在所述开口的上方并配置为打开和关闭所述开口；所述长晶炉包括第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈沿所述开口的径向向外依次设置在所述法兰体上，所述第一密封圈和所述第二密封圈之间间隔设置；当所述炉盖关闭所述开口时，所述第一密封圈、所述第二密封圈、所述炉盖以及所述法兰体之间限定出密封腔；所述法兰体开设有第一真空气路，所述第一真空气路的一端与第一真空源连通，另一端形成第一抽气口，所述第一抽气口与所述密封腔连通。本发明的长晶炉具有密封性好的优点。

技术领域

本发明涉及长晶炉技术领域，具体地涉及一种长晶炉。

背景技术

在采用长晶炉生产晶体的过程中，需要先使用炉盖将长晶炉腔室进行密封，再将长晶炉腔室的空气抽净，达到一定的真空度后，才能开始进行晶体的生长。为了保证晶体的生长效率，整个生长过程要求长晶炉的腔室具有较好的密封效果。目前，传统的炉盖存在其密封圈漏率较高，无法保证长晶炉腔室的密封性的问题。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的问题，提供一种长晶炉，该长晶炉具有密封性好的优点。

为了实现上述目的，本发明提供一种长晶炉，所述长晶炉包括炉体和炉盖，所述炉体具有腔室，所述炉体上部开设有与所述腔室连通的开口，所述开口处套设有法兰体；所述炉盖设置在所述开口的上方并配置为打开和关闭所述开口；所述长晶炉包括第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈和所述第二密封圈沿所述开口的径向向外依次设置在所述法兰体上，所述第一密封圈和所述第二密封圈之间间隔设置；当所述炉盖关闭所述开口时，所述第一密封圈、所述第二密封圈、所述炉盖以及所述法兰体之间限定出密封腔；所述法兰体开设有第一真空气路，所述第一真空气路的一端与第一真空源连通，另一端形成第一抽气口，所述第一抽气口与所述密封腔连通。

可选的，所述长晶炉包括作为所述第一真空源的真空泵，所述真空泵配置为能够对所述炉体的腔室抽真空以使所述腔室具有第一气压。

可选的，所述第一真空气路配置为所述真空泵通过所述第一真空气路将所述密封腔抽真空以使所述密封腔具有第二气压，其中，所述第二气压小于外界气压。

可选的，所述第二气压与所述第一气压相同。

可选的，所述第一真空气路包括多个第一支路，每个所述第一支路均连通所述第一真空源与所述密封腔，多个所述第一支路沿所述法兰体的周向间隔设置。

可选的，所述法兰体上设有用于分别安装所述第一密封圈和所述第二密封圈的第一凹槽及第二凹槽。

可选的，所述炉盖的下端面设有分别与所述第一凹槽及所述第二凹槽对应的第三凹槽及第四凹槽。

可选的，所述炉盖开设有第二真空气路，所述第二真空气路的一端与第二真空源连通，另一端形成第二抽气口，所述第二抽气口设置在所述第三凹槽及所述第四凹槽之间。

可选的，所述第二真空气路配置为能够配合所述第一真空气路将所述密封腔的气压抽至所述第二气压。

可选的，所述第二真空气路包括多个第二支路，每个所述第二支路均连通所述第二真空源与所述密封腔，多个所述第二支路沿所述炉盖的周向间隔设置。