[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有隔离沟槽；

在所述隔离沟槽中形成内衬氧化层，所述内衬氧化层覆盖所述隔离沟槽的内表面；

在所述隔离沟槽中形成内衬硅层，所述内衬硅层覆盖所述内衬氧化层，具体为：采用乙硅烷在所述隔离沟槽的内衬氧化层表面上沉积一层纯硅层，以作为所述内衬硅层；

所述隔离沟槽中填充可流动含硅聚合物层，所述可流动含硅聚合物层覆盖所述内衬硅层；

将所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物，且在所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物的过程中，至少部分所述内衬硅层也转化成氧化物，所述将所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物的步骤包括：首先，在含氧气氛中通过温度高于300℃的高温工艺，将所述可流动含硅聚合物层固化；然后，在惰性气氛中，对所述可流动含硅聚合物层进行退火。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，通过低压化学气相沉积法、原子层沉积法或等离子增强化学气相沉积法，形成所述内衬硅层。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的形成方法采用的设备优选为炉管。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述内衬硅层的厚度为5Å~15Å。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述高温工艺的温度为300℃~1000℃。

6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述可流动含硅聚合物层的材料包括聚硅氮烷和/或硅倍半氧烷氢化物，所述含氧气氛包括氧气、臭氧及水蒸气中的至少一种，所述惰性气氛包括氮气、氩气及氦气中的至少一种。

7.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括形成于一半导体衬底中的隔离沟槽、覆盖所述隔离沟槽内表面的内衬氧化层、覆盖所述内衬氧化层的内衬硅层以及覆盖所述内衬硅层且填充所述隔离沟槽的聚硅氮烷层，所述内衬硅层为采用乙硅烷在所述隔离沟槽的内衬氧化层表面上沉积的一层纯硅层。

8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括提供一衬底，并采用权利要求1~6中任一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构。