[发明专利]一种选通管有效
| 申请号： | 201911046676.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110993787B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 童浩;林琪;王伦;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选通管 | ||
1.一种选通管，其特征在于，包括依次设置的：
一半导体衬底（100）；
一第一金属电极层（101）；
一电热绝缘层（102），其中有小孔，小孔底部为所述第一金属电极层（101）；
一二维材料层（103），所述二维材料层（103）形成于所述电热绝缘层（102）包裹的所述小孔中，所述二维材料层（103）的底部形成于所述第一金属电极层（101）的顶部；该二维材料层（103）是防渗透并具有可调控表面缺陷的材料，所述二维材料层（103）为过渡金属硫系化合物；
一开关层插塞柱（104），所述开关层插塞柱（104）形成于所述电热绝缘层（102）包裹的所述小孔中，所述开关层插塞柱（104）的底部形成于所述二维材料层（103）的顶部；所述开关层插塞柱（104）是在电流或电压激励下可以形成导电丝（106）的材料；
一第二金属电极层（105），所述第二金属电极层（105）形成于所述电热绝缘层（102）和所述开关层插塞柱（104）的顶部；
所述二维材料层（103）的侧边直接接触所述电热绝缘层（102）的内壁；
所述开关层插塞柱（104）的侧边直接接触所述电热绝缘层（102）的内壁；
所述第一金属电极层（101）为活性电极，所述第二金属电极层（105）为惰性电极。
2.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
对于同一种二维材料，对其使用离子束轰击，通过控制包括离子束密度、轰击时间在内的因素，调节表面缺陷的大小。
3.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述开关层插塞柱（104）包括硫系化合物。
4.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述开关层插塞柱（104）的材料选自GeTex、GeSex、GeSx、GeSbTex、GeSbx、SbTex、SbS、SbSe、BiSe、BiS、BiTe、AsTe、AsSe、SnTe、BiTe中的任意一种或任意组合。
5.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述开关层插塞柱（104）的材料选自GeTex、GeSex、GeSx、GeSbTex、GeSbx、SbTex、SbS、SbSe、BiSe、BiS、BiTe、AsTe、AsSe、SnTe、BiTe中的任意一种或任意组合，且再掺杂S、N、O以及Si元素中的至少一种元素形成的混合物。
6.一种选通管，其特征在于，包括依次设置的：
一半导体衬底（100）；
一第一金属电极层（101）；
一电热绝缘层（102），其中有小孔，小孔底部为所述第一金属电极层（101）；
一开关层插塞柱（104），所述开关层插塞柱（104）形成于所述电热绝缘层（102）包裹的所述小孔中，所述开关层插塞柱（104）的底部形成于所述第一金属电极层（101）的顶部；所述开关层插塞柱（104）是在电流或电压激励下可以形成导电丝（106）的材料；
一二维材料层（103），所述二维材料层（103）形成于所述电热绝缘层（102）包裹的所述小孔中，所述二维材料层（103）的底部形成于所述开关层插塞柱（104）的顶部；该二维材料层（103）是防渗透并具有可调控表面缺陷的材料，所述二维材料层（103）为过渡金属硫系化合物；
一第二金属电极层（105），所述第二金属电极层（105）形成于所述电热绝缘层（102）和所述二维材料层（103）的顶部；
所述开关层插塞柱（104）的侧边直接接触所述电热绝缘层（102）的内壁；
所述二维材料层（103）的侧边直接接触所述电热绝缘层（102）的内壁；
所述第一金属电极层（101）为惰性电极，所述第二金属电极层（105）为活性电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911046676.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
