[发明专利]发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

将衬底放在反应室内的承载盘上；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层和高温外延层；

控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述高温外延层上生长第一N型半导体层；

对所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；其中，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大；

控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述第二N型半导体层上生长第三N型半导体层；

在所述第三N型半导体层上依次生长有源层和P型半导体层。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在相邻两个所述阶段中，所述承载盘的转速在后一个所述阶段中的最小值在前一个所述阶段中的最小值和最大值之间，在后一个所述阶段中的最大值大于在前一个所述阶段中的最大值。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，在相邻两个所述阶段之间，所述生长方法还包括：

停止向所述反应室内通入反应气体，将沿第一方向转动的承载盘的转速从前一个所述阶段中的最大值逐渐降低至0；

将所述承载盘沿第二方向转动，并将所述承载盘的转速逐渐升高至后一个所述阶段中的最小值，所述第二方向与所述第一方向相反。

4.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述承载盘的转速在各个所述阶段中增大的速率逐渐减小。

5.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述反应室内的温度在各个所述阶段中逐渐升高。

6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，在相邻两个所述阶段中，所述反应室内的温度在后一个所述阶段中的最小值等于所述反应室内的温度在前一个所述阶段中的最大值。

7.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，所述反应室内的温度在各个所述阶段中的升高速率相同。

8.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述生长方法还包括：

在所述P型半导体层生长之前，在所述有源层上生长势垒渐变层，所述势垒渐变层的势垒高度从所述有源层到所述P型半导体层的方向逐渐降低。

9.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底(10)以及依次层叠在衬底(10)上的低温缓冲层(20)、高温外延层(30)、第一N型半导体层(41)、第二N型半导体层(42)、第三N型半导体层(43)、有源层(50)和P型半导体层(60)，所述第一N型半导体层(41)和所述第三N型半导体层(43)生长时，放置所述衬底的承载盘沿设定方向以设定转速转动；所述第二N型半导体层(42)生长时所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大。

10.根据权利要求9所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述有源层(50)和所述P型半导体层(60)之间的势垒渐变层(70)，所述势垒渐变层(70)的势垒高度从所述有源层(50)到所述P型半导体层(60)的方向逐渐降低。