[发明专利]一种Micro OLED显示器结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种Micro OLED显示器结构及其制备方法，结构包括：基底，基底包括PAD连接区域及非PAD连接区，PAD连接区的基底厚度薄于非PAD连接区的基底厚度，CMOS驱动电路设于非PAD连接区上，PAD连接区上设有若干个TSV通孔，TSV通孔内形成有与TSV通孔尺寸相适配的金属柱，在基底的下表面设有金属PAD，金属PAD的上表面覆盖整个金属柱的底面，在基底的上表面设有OLED发光区，在OLED发光区的上表面、未覆盖OLED发光区的基底上表面以及金属柱顶面设有连续的封装薄膜。本发明通过硅深孔的技术手段，使得金属PAD与CMOS电路通过导电介质连接，将金属PAD设置在OLED发光区对侧，不需要使用TFE图案化制程，降低工艺复杂性，节省工艺成本，提升整体制程的良率。

技术领域

本发明属于OLED显示技术领域，更具体地，本发明涉及一种Micro OLED显示器结构及其制备方法。

背景技术

Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。

Micro OLED制备流程基本可以概括为CMOS制备，OLED蒸镀，TFE封装，彩膜制备，盖板贴合，模组制备等；现有技术为正面制备TFE结构，通过干刻或者激光刻蚀对TFE结构进行图案化，漏出与显示区同侧的金属pad结构，从而配合后续的模组制备。其制备过程如图1所示，这种方法的缺点是：工艺制程繁杂，对TFE的可靠性有影响等缺点。

发明内容

本发明提供一种Micro OLED显示器结构，通过TSV硅深孔技术，将金属Pad放置在显示区背侧，从而省去了TFE图案化的工艺制程并且同时提高整体器件的可靠性。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种Micro OLED显示器结构，所述结构包括：

基底，所述基底包括PAD连接区域及非PAD连接区，PAD连接区的基底厚度薄于非PAD连接区的基底厚度，CMOS驱动电路设于非PAD连接区上，PAD连接区上设有若干个TSV通孔，TSV通孔内形成有与TSV通孔尺寸相适配的金属柱，在基底的下表面设有金属Pad，金属PAD的上表面覆盖整个金属柱的底面，在基底的上表面设有OLED发光区，在OLED发光区的上表面、未覆盖OLED发光区的基底上表面以及金属柱顶面设有连续的封装薄膜。

进一步的，所述PAD连接区的基底厚度200～400um，非PAD连接区的基底厚度为600～1000um。

进一步的，TSV通孔的孔径为50～200um。

进一步的，在金属PDA的底部制备有保护层，所述保护层为PEN薄膜或PET薄膜。

进一步的，在金属柱的上表面设有增强PAD连接区域机械强度的硬质膜层，硬质膜层的材料为SIN或SIO，其厚度为300-100nm。

进一步的，所述金属柱的材料由Ti层、Al层、Ti层的混合层结构组成。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种Micro OLED显示器结构的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：

S1、在基底的非PAD连接区制备CMOS驱动电路；

S2、对基底的PAD连接区进行减薄，形成减薄区域；

S3、在减薄区域上制备TSV通孔，在TSV通孔被填充金属材料，形成金属柱；

S4、在基底的下表面制备有金属PAD，金属PAD覆盖了整个金属柱底面；