[发明专利]晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201911047854.4 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767536A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 孙兴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗液 边缘位置 晶圆边缘 喷射 清洗 晶圆表面 喷射方向 中心轴 污染物 晶圆清洗 晶圆中心 清洗能力 清洗效果 良率 种晶 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；
向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述设定时间介于5秒～80秒之间。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆清洗的总时间介于40秒～125秒之间。
4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度介于0°～45°之间。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液之前，所述晶圆清洗方法还包括：
向所述晶圆的中心位置喷射清洗液。
6.如权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的中心位置喷射清洗液时，所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间构成一锐角或直角。
7.如权利要求5所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的中心位置喷射清洗液的时间介于20秒～80秒之间。
8.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液时，还利用清洗刷刷洗所述晶圆。
9.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液为氨水和过氧化氢混合溶液、盐酸和过氧化氢混合溶液或二氧化碳去离子水溶液的一种或多种。
10.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆的转速为300转/每分钟～1500转/每分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
