[发明专利]液晶显示装置及其液晶显示装置制造方法有效
申请号: | 201911048076.0 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110780473B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 沈家军;吴佳星;周学芹;李冬敏 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 边晓红 |
地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种液晶显示装置及液晶显示装置制造方法,该液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板和液晶层,阵列基板上形成多个第一像素单元和多个第二像素单元,阵列基板包括遮挡层,遮挡层设于第二像素单元对应区域,并用于遮挡液晶显示装置全窄视角显示时的正视角漏光;彩膜基板包括第三导电层,第三导电层为视角控制电极。本发明的液晶显示装置和液晶显示装置制造方法制造的液晶显示装置中,可实现宽视角、全窄视角和左右窄视角显示,全窄视角模式下,能同时实现左右和上下防窥,大大提高防窥效果;遮挡层可将正视角度下的部分漏光遮挡,可防止全窄视角模式下正视角漏光,这样既使大视角漏光,又保证正视角不漏光或少漏光,提高了显示效果。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别是涉及一种液晶显示装置及液晶显示装置制造方法。
背景技术
液晶显示装置具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点,在平板显示领域占主导地位。随着液晶显示技术的不断进步,显示器的可视角度已经从原来的120°左右拓宽到160°以上,人们在享受大视角带来的视觉体验的同时,也希望有效保护商业机密和个人隐私,以避免屏幕信息外泄而造成的商业损失或尴尬。因此除了宽视角之外,还需要显示装置具备宽视角与窄视角相互切换的功能。为了实现保护商业机密和个人隐私,可采用百叶窗技术,但利用此技术不能切换到宽视角模式,且亮度损失严重,同时制造成本高,难以满足使用要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种可实现宽窄视角切换的液晶显示装置及液晶显示装置制造方法。
本发明提供一种液晶显示装置,包括阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于该阵列基板与该彩膜基板之间的液晶层,该阵列基板上由扫描线和数据线限定形成多个第一像素单元和多个第二像素单元,该阵列基板包括第一衬底、薄膜晶体管、第一导电层、第二导电层和遮挡层,该第二导电层与该第一导电层绝缘间隔设置,该遮挡层设于该第二像素单元对应区域,并用于遮挡液晶显示装置全窄视角显示时的正视角漏光;该彩膜基板包括第二衬底、色阻层和第三导电层,该色阻层和该第三导电层设于该第二衬底上,该第三导电层为视角控制电极。
本发明实施例还提供一种液晶显示装置制造方法,用于制造上述液晶显示装置,该液晶显示装置制造方法包括:形成该阵列基板;形成该彩膜基板,该彩膜基板包括第二衬底、色阻层和第三导电层,该色阻层和该第三导电层设于该第二衬底上;将该阵列基板与该彩膜基板相对设置,并在该阵列基板与该彩膜基板之间注入液晶层,由此形成液晶显示装置;该形成阵列基板的步骤具体包括:提供该第一衬底,并在该第一衬底上形成薄膜晶体管,并形成该扫描线和该数据线,该扫描线和该数据线限定形成多个该第一像素单元和多个该第二像素单元;在薄膜晶体管上形成第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成保护层;在该第二像素单元的该保护层上开设贯通的第一通孔,并在该保护层上形成该第一导电层,该第一导电层穿过该第一通孔与该薄膜晶体管的漏极电性连接;在该第二像素单元的该第一导电层上形成该遮挡层;在该遮挡层上形成第二绝缘层,该第二绝缘层覆盖于该遮挡层上和未被该遮挡层覆盖的该第一导电层上;在该第一像素单元的该保护层、该第二绝缘层上开设贯通的第二通孔,并在该第二绝缘层上形成该第二导电层,该第二导电层穿过该第二通孔与该薄膜晶体管的漏极电性连接;
或者,提供第一衬底,并在该第一衬底上形成薄膜晶体管,并形成该扫描线和该数据线,该扫描线和该数据线限定形成多个该第一像素单元和多个该第二像素单元;在该薄膜晶体管上形成该第一导电层;在该第一导电层上形成第三绝缘层,该第三绝缘层仅覆盖于该第一像素单元区域;形成第二金属层,在该第二像素单元区域,该第二金属层设于该第一导电层上,在该第一像素单元区域,该第二金属层设于该第三绝缘层上;在该第二金属层上形成第四绝缘层;在该第四绝缘层上形成该遮挡层;在该遮挡层上形成保护层,该保护层覆盖该遮挡层和未被该遮挡层覆盖的该第四绝缘层;在该第一像素单元的该保护层上开设贯通的第三通孔,并在该保护层上形成该第二导电层,该第二导电层穿过该第三通孔与该薄膜晶体管的漏极电性连接。
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