[发明专利]一种改善灵敏放大器读稳定性的回写电路及方法

权利要求书

1.一种改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，包括：

第一级灵敏放大器：用于对数据进行第一次放大，并且将经放大的数据传送到放大线上；

第二级灵敏放大器：用于对第一次放大数据进行第二次放大；

主DQ读控制电路：用于连接第一级灵敏放大器与第二级灵敏放大器；并通过控制保持第一级灵敏放大器与第二级灵敏放大器导通或关断；

导通时，用于将第一次放大数据传输至第二级灵敏放大器进行二次放大；并将第二次放大的数据写回放大线上，从而写回第一级灵敏放大器，将第一级灵敏放大器位线BL或BL_N上耦合的电压峰恢复，并且在第二灵敏放大器对第一次放大数据进行放大的过程中，主DO读控制电路保持第一级灵敏放大器与第二级灵敏放大器之间的数据通路。

2.根据权利要求1所述的改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，所述主DQ读控制电路，用于将进一步放大的高电平数据、低电平数据或者中间电平数据写回放大线上。

3.根据权利要求1所述的改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，所述主DQ读控制电路通过传输门连接第二级灵敏放大器。

4.根据权利要求3所述的改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，所述主DQ读控制电路包括传输管M0、传输管M1、预充电PMOS晶体管P10与预充电PMOS晶体管P11以及均衡PMOS晶体管P12；

预充电PMOS晶体管P10与预充电PMOS晶体管P11以及均衡PMOS晶体管P12的栅极均连接至预充电反信号线MDQ_PRE_N，预充电PMOS晶体管P10的源极和预充电PMOS晶体管P11的源极均连接至电源电压VDD，预充电PMOS晶体管P10的漏极与均衡PMOS晶体管P12的源极连接后与传输管M0的第一端连接，传输管M0的第一端与第一级灵敏放大器的放大线MDQ连接；预充电PMOS晶体管P11的漏极与均衡PMOS晶体管P12的漏极连接后与传输管M1的第一端连接，传输管M1的第一端与第一级灵敏放大器的放大线MDQ_N连接；传输管M0的NMOS管栅极和传输管M1的NMOS管栅极连接至使能信号线RE，传输管M0的PMOS管栅极和传输管M1的PMOS管栅极均与使能反信号线RE_N连接；传输管M0的第二端和传输管M1第二端分别与第二级灵敏放大器的两端连接。

5.根据权利要求1所述的改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，所述主DQ读控制电路通过厚栅NMOS管连接第二级灵敏放大器。

6.根据权利要求5所述的改善灵敏放大器读稳定性的回写电路，其特征在于，所述主DQ读控制电路包括厚栅NMOS管HN0、厚栅NMOS管HN1、预充电PMOS晶体管P10与预充电PMOS晶体管P11以及均衡PMOS晶体管P12；

预充电PMOS晶体管P10与预充电PMOS晶体管P11以及均衡PMOS晶体管P12的栅极均连接至预充电反信号线MDQ_PRE_N，预充电PMOS晶体管P10的漏极与均衡PMOS晶体管P12的源极连接后与厚栅NMOS管HN0的源极连接，厚栅NMOS管HN0的源极与第一级灵敏放大器的放大线MDQ连接；预充电PMOS晶体管P11的漏极与均衡PMOS晶体管P12的漏极连接后与厚栅NMOS管HN1的源极连接，厚栅NMOS管HN1的源极与第一级灵敏放大器的放大线MDQ_N连接；厚栅NMOS管HN0的栅极和厚栅NMOS管HN1的栅极连接并连接至使能信号线RE，厚栅NMOS管HN0的漏极和厚栅NMOS管HN1的漏极分别与第二级灵敏放大器的两端连接。