[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审
申请号: | 201911050088.7 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN112117240A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 方绪南;翁振源 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
再分布层;
第一半导体装置,其安置在所述再分布层上;
第二半导体装置,其堆叠在所述第一半导体装置上;
第一绝缘主体,其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间,所述
第一绝缘主体具有多个第一颗粒;以及
第二绝缘主体,其囊封所述第一绝缘主体并且具有多个第二颗粒,
其中所述多个第一颗粒中的一个具有平坦表面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述多个第一颗粒中的所述一个的所述平坦表面与所述第一绝缘主体的第一表面基本上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述多个第一颗粒中的所述一个的所述平坦表面与所述第二绝缘主体直接接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘主体的一部分安置在所述再分布层与所述第一半导体装置之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二半导体装置具有大于所述第一半导体装置的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二半导体装置的第一表面从所述第二绝缘主体暴露。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一绝缘主体具有凹形表面。
8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述凹形表面邻近于所述第一半导体装置。
9.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述第二绝缘主体具有与所述第一绝缘主体的所述凹形表面啮合的凸形表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一半导体装置具有第一导电触点,所述第一导电触点具有第一宽度,并且所述第二半导体装置具有第一导电触点,并且其中所述半导体装置封装进一步包括在所述第一半导体装置的所述第一导电触点与所述第二半导体装置的所述第一导电触点之间的互连件,并且所述互连件具有最大宽度,并且其中所述互连件的所述最大宽度基本上与所述第一宽度相同。
11.根据权利要求10所述的半导体装置封装,其中所述互连件的所述最大宽度基本上等于或小于1.2倍的所述第一宽度。
12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述多个第一颗粒的平均大小基本上小于所述多个第二颗粒。
13.一种半导体装置封装,其包括:
再分布层;
第一半导体装置,其安置在所述再分布层上并且具有第一横向表面;
第二半导体装置,其堆叠在所述第一半导体装置上并且具有第一横向表面;
第一绝缘主体,其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间并且具有第一横向表面;以及
第二绝缘主体,其囊封所述第一绝缘主体,
其中所述第一绝缘主体的所述第一横向表面与所述第二半导体装置的所述第一横向表面基本上共面。
14.根据权利要求13所述的半导体装置封装,其中所述第二半导体装置具有大于所述第一半导体装置的宽度。
15.根据权利要求13所述的半导体装置封装,其中所述第一绝缘主体的所述第一横向表面与所述第一半导体装置的所述第一横向表面基本上共面。
16.根据权利要求13所述的半导体装置封装,其中所述第一绝缘主体具有多个第一颗粒,并且所述第二绝缘主体具有多个第二颗粒,并且其中所述多个第一颗粒中的一个具有平坦表面。
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