[发明专利]一种有机发光显示面板和显示装置有效
申请号: | 201911050701.5 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110676301B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 马扬昭;夏志强;周瑞渊 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 冯伟 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
半透明显示区、正常显示区和非显示区,所述正常显示区至少半包围所述半透明显示区,所述非显示区包围所述正常显示区和所述半透明显示区;
依次设置的阵列基板、多个子像素、封装层和抗反射层,所述子像素设置于所述阵列基板和所述封装层之间;所述抗反射层包括多个色阻和黑矩阵,所述色阻与所述子像素对应设置且所述色阻覆盖所述子像素;
所述半透明显示区的子像素密度小于所述正常显示区的子像素密度,位于所述半透明显示区的色阻的厚度小于位于所述正常显示区的色阻的厚度。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述子像素包括阳极、发光材料层和阴极;所述阳极上设置有像素定义层,所述像素定义层设置有开口,所述发光材料层覆盖所述像素定义层开口,所述阴极覆盖所述发光材料层;
所述阵列基板包括驱动电路,所述阳极与所述驱动电路对应电连接。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述子像素包括第一色子像素、第二色子像素和第三色子像素;所述色阻包括第一色色阻、第二色色阻和第三色色阻;所述第一色、所述第二色和所述第三色互不相同;
所述第一色色阻覆盖所述第一子像素,所述第二色色阻覆盖所述第二色子像素,所述第三色色阻覆盖所述第三色子像素。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
位于半透明显示区的所述第一色色阻、所述第二色色阻以及所述第三色色阻的厚度均为零。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板,其特征在于,
对于第四色子像素和第四色色阻,位于所述半透明显示区的第四色子像素的开口率为AR1,效率为E1,位于所述正常显示区的第四色子像素的开口率为AR2,效率为E2,第四色色阻透过率为T2;所述第四色色阻透过率与开口率满足:
0.9*L*T2/(AR2*E2)≤L/(AR1*E1)≤1.1*L*T2/(AR2*E2),其中L为第四色子像素的亮度,第四色为第一色、第二色和第三色中的任意一个。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
对于第五色子像素和第五色色阻,位于半透明显示区的所述第五色色阻的厚度为H3,透过率为T3;位于所述正常显示区的所述第五色色阻的厚度为H4,透过率为T4;
对于第五色子像素和第五色色阻,位于所述半透明显示区的第五色子像素的开口率为AR3,效率为E3,位于所述正常显示区的第五色子像素的开口率为AR4,效率为E4;所述第五色色阻透过率与开口率满足:
0.9*L*T4(AR4*E4)≤L*T3/(AR3*E3)≤1.1*L*T4/(AR4*E4),其中L为第五色子像素的亮度,第五色为第一色、第二色和第三色中的任意一个。
7.根据权利要求5或6所述的有机发光显示面板,其特征在于,
对于第四色子像素或者第五色子像素,在半透明显示区和正常显示区同一道工艺同时形成,E1=E2和/或E3=E4。
8.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述像素定义层包括开口区和非开口区,在所述正常显示区所述非开口区覆盖所述黑矩阵,且所述黑矩阵覆盖除色阻以外的区域;
所述半透明显示区包括像素发光区、走线区和透光区;所述子像素位于所述像素发光区,各所述像素发光区之间由走线区连接,多个所述走线区和所述像素发光区围绕所述透光区;
在半透明显示区,所述黑矩阵覆盖所述走线区,且所述黑矩阵与所述发光区和所述透光区均不交叠。
9.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述封装层为薄膜封装层,所述薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层有机层;
所述抗反射层与所述封装层之间设置有无机阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的