[发明专利]集成DBR的垂直结构LED及其形成方法

权利要求书

1.一种集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，包括：

导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；

外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR的垂直结构LED发射的光线的波长；

第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。

2.根据权利要求1所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，在沿所述导电衬底指向所述第一DBR层的方向上，所述外延层包括：

第二接触层，位于所述导第一DBR层表面；

电子阻挡层，位于所述第二接触层表面；

量子阱层，位于所述电子阻挡层表面；

超晶格层，位于所述量子阱层表面；

第一接触层，位于所述超晶格层表面。

3.根据权利要求2所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，还包括：

金属键合层，位于所述导电衬底的所述第一表面；

金属反射层，位于所述金属键合层表面，所述第一DBR层位于所述金属反射层表面，且所述金属反射层沿垂直于所述导电衬底的方向贯穿所述第一DBR层，以与所述第二接触层电性接触；

第一电极，所述第一电极沿垂直于所述导电衬底的方向贯穿所述第二DBR层，以与所述第一接触层电性接触；

第二电极，位于所述导电衬底的所述第二表面上。

4.根据权利要求3所述的集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，所述金属反射层、所述第一电极和所述第二电极的材料均为镍、金、银中的一种或两种以上的组合。

5.一种集成DBR的垂直结构LED的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成初始外延层和第一DBR层于一生长衬底表面，所述第一DBR层位于所述初始外延层背离所述生长衬底的表面，所述初始外延层包括沿垂直于所述生长衬底的方向依次叠置的缓冲层、初始第一接触层、量子阱层和第二接触层；

形成一导电衬底，所述导电衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

以所述第一表面朝向所述第一DBR层的方向键合所述生长衬底与所述导电衬底；

去除所述生长衬底、所述缓冲层，并减薄所述初始第一接触层，以减薄后的所述初始第一接触层作为第一接触层，形成包括第一接触层、量子阱层和所述第二接触层的外延层，所述外延层的厚度小于集成DBR的垂直结构LED发射的光线的波长；

形成第二DBR层于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。

6.根据权利要求5所述的集成DBR的垂直结构LED的形成方法，其特征在于，形成初始外延层和第一DBR层于一生长衬底表面的具体步骤包括：

提供一生长衬底；

沿垂直于所述生长衬底的方向依次沉积所述缓冲层、所述初始第一接触层、超晶格层、所述量子阱层、电子阻挡层和所述第二接触层于所述生长衬底表面，形成初始外延层；

形成第一DBR层于所述第二接触层表面。

7.根据权利要求6所述的集成DBR的垂直结构LED的形成方法，其特征在于，形成第一DBR层于所述第二接触层表面之后，还包括如下步骤：

刻蚀所述第一DBR层，形成沿垂直于所述生长衬底的方向贯穿所述第一DBR层的第一接触窗口，暴露所述第二接触层；

形成覆盖所述第一DBR层表面且填充满所述第一接触窗口的金属反射层。

8.根据权利要求6所述的集成DBR的垂直结构LED的形成方法，其特征在于，所述初始外延层的厚度大于集成DBR层的垂直结构LED发射的光线的波长。