[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

技术领域

本揭露的若干实施方式涉及半导体装置与其制造方法。

背景技术

习知的平面薄膜装置提供了低功耗的优异性能。为了增强装置的可控性，并减少平面装置占据的基材表面积，半导体工业已经进展到纳米技术制程，以追求更高的装置密度、更高的性能以及更低的成本。纳米技术制程的关键技术之一为平坦化制程，例如化学机械研磨(chemical mechanical polishing)，是在由沉积(deposition)所形成的一或多层之上进行操作。因此，需要改善化学机械研磨操作的过程。

发明内容

本揭露的一些实施方式中提供一种制造半导体装置的方法，包含：形成第一层间介电(Interlayer Dielectric；ILD)层于基材上；形成化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing；CMP)停止层于第一层间介电层上；图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层以形成沟槽；形成金属层于化学机械研磨停止层上以及沟槽中；形成牺牲层于金属层上；进行化学机械研磨操作于牺牲层以及金属层上，以移除化学研磨停止层上的金属层的部分；以及移除沟槽上的牺牲层的剩余部分。

本揭露的一些实施方式中提供一种制造半导体装置的方法，包含形成第一层间介电层于基材上；形成化学机械研磨停止层于第一层间介电层上；图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层，以形成沟槽于周边区以及开口于电路区；形成金属层于化学机械研磨停止层上以及沟槽中；形成牺牲层于金属层上；进行化学机械研磨操作于牺牲层以及金属层上，以移除化学研磨停止层上的金属层的部分，借以形成通孔触点于电路区；以及移除周边区中沟槽上的牺牲层的剩余部分。

本揭露的一些实施方式中提供一种半导体装置，包括金属布线层、通孔触点、定位标记。金属布线层嵌于基材上的层间介电层中；通孔触点包括设置在金属布线层上的金属；定位标记由金属层所形成，金属层设置于形成于层间介电层的沟槽中，其中通孔触点的金属和定位标记的金属层由相同的材料制成；定位标记具有U形横截面，U形横截面具有底部件以及侧壁部件；至少一侧壁部件中的顶表面与平行于基材表面的平面具有角度；以及角度超过0度并且小于5度。

附图说明

当与所附附图一起阅读时，本揭露内容可自以下详细的描述而得到最好的理解。要强调的是，根据产业的标准做法，各个特征并不按尺寸绘制，而仅用来说明目的。事实上，为了清楚地讨论，各个特征的尺寸可任意地增加或减小。

图1为根据本揭露的一实施例所绘示的基材的化学机械研磨操作的示意图；

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14以及图15为根据本揭露的一些实施例的用于制造半导体装置的方法，所依序绘示的横截面图；

图16A以及图16B为根据本揭露的一些实施例所绘示的定位标记；

图17为图2至图15所示操作的制造流程图；

图18、图19、图20、图21以及图22为根据本揭露的其他实施例的用于制造半导体装置的方法，所绘示的横截面图；

图23A以及图23B为根据本揭露的一些实施例所绘示的覆盖量测标记。

【符号说明】

100设备

110晶圆载体

120样品