[发明专利]键合装置及键合方法有效
申请号: | 201911051463.X | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN111199892B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 金度延;李恒林;李忠现;金光燮;金旼永;金度宪;高定奭 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 姜香丹 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种键合方法,用于将接合对象的第二贯通电极对准并接合到基板上的第一贯通电极,所述键合方法包括以下步骤:
在所述基板上布置所述接合对象;以及
通过将具有已设定的共振频率的振动施加到所述接合对象并使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振,从而将所述第二贯通电极的位置和所述第一贯通电极对准,
其中在执行布置所述接合对象的步骤之前,进一步包括以下步骤:
通过对所述接合对象的接合面进行等离子体处理而将所述接合面亲水化,以及
在所述基板上形成用于预接合所述接合对象的液膜。
2.根据权利要求1所述的键合方法,其中,
所述对准步骤包括:通过在所述接合对象布置于所述液膜上的状态下使所述共振频率的振动施加到所述接合对象而将所述第二贯通电极和所述第一贯通电极对准。
3.根据权利要求2所述的键合方法,其中,
所述共振频率的振动通过所述液膜向所述基板上的第一贯通电极传递而使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振。
4.根据权利要求1所述的键合方法,在执行布置所述接合对象的步骤之前,进一步包括以下步骤:通过照相机确认所述第二贯通电极的位置而将所述基板和所述接合对象的位置临时对准。
5.根据权利要求1所述的键合方法,在执行布置所述接合对象的步骤之前,进一步包括以下步骤:由键合头来拾取所述接合对象并将所述接合对象向所述基板的上部区域移送,
所述对准步骤在所述键合头解除所述接合对象的固定的状态下对所述接合对象施加所述振动。
6.根据权利要求5所述的键合方法,其中,
所述对准步骤通过设置于所述键合头的压电元件来施加所述振动。
7.根据权利要求1所述的键合方法,在布置所述接合对象的步骤与形成所述液膜的步骤之间,进一步包括以下步骤:通过对所述基板上的接合区域进行等离子体处理而将所述接合区域亲水化。
8.根据权利要求7所述的键合方法,在通过所述振动来将所述第一贯通电极和所述第二贯通电极对准之后,进一步包括以下步骤:在通过所述基板上的经亲水化的接合区域与所述液膜及所述接合对象的经亲水化的接合面之间的接合力而在所述基板上预接合有所述接合对象的状态下进行热处理,从而在所述基板上后接合所述接合对象。
9.根据权利要求1所述的键合方法,其中,
所述对准步骤基于所述基板上的接合区域的亲水性、用于所述基板的亲水化处理的等离子体处理时间、用于等离子体处理的亲水基团的种类、为了形成所述液膜而由浸润装置吐出到所述基板上的液滴的吐出间隔以及所述液膜的厚度中的至少一种来调节所述共振频率。
10.一种键合装置,用于将接合对象的第二贯通电极对准并接合到基板上的第一贯通电极,所述键合装置包括:
键合台,用于支撑所述基板;
键合头,拾取所述接合对象并将所述接合对象向所述基板上的接合区域移送而布置在所述基板上;以及
共振对准部,通过将具有已设定的共振频率的振动施加到所述接合对象并使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振,从而将所述第二贯通电极的位置和所述第一贯通电极对准,
其中所述键合装置进一步包括:
等离子体处理部,通过对所述基板上的接合区域进行等离子体处理而将所述接合区域亲水化;以及
浸润装置,所述浸润装置在所述基板上形成用于预接合所述接合对象的液膜。
11.根据权利要求10所述的键合装置,其中,
所述共振对准部通过在所述接合对象布置于所述液膜上的状态下将所述共振频率的振动施加到所述接合对象而将所述第二贯通电极和所述第一贯通电极对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造