[发明专利]临时粘接用粘合剂、粘合剂层、晶片加工体及使用其的半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201911051970.3 | 申请日: | 2015-08-05 |
公开(公告)号: | CN110734736B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 有本真治;藤原健典;富川真佐夫 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C09J179/08 | 分类号: | C09J179/08;C09J183/04;C09J11/06;C08G73/10;C11D7/50;H01L21/02;H01L21/304 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;罗小亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 粘接用 粘合剂 晶片 加工 使用 半导体器件 制造 方法 | ||
1.临时粘接用粘合剂,其特征在于,其为下述树脂组合物,所述树脂组合物含有:
(a)树脂,其中不包括通式(2)表示的硅氧烷聚合物;以及
(b-1)通式(2)表示的硅氧烷聚合物,
式(2)中,m为19以上100以下的整数;R7及R8可以相同也可以不同,各自表示具有1~30个碳原子及0~3个氮原子的一价有机基团,并且为具有氨基、羧基或羟基的结构;R9及R10可以相同也可以不同,各自表示碳原子数为1~30的亚烷基或亚苯基;R11~R14可以相同也可以不同,各自表示碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为1~30的烷氧基、苯基或苯氧基,
其中,所述(a)树脂为具有酸二酐残基和二胺残基的聚酰亚胺树脂。
2.如权利要求1所述的临时粘接用粘合剂,其中,(a)树脂的玻璃化转变温度为100℃以下。
3.如权利要求1或2所述的临时粘接用粘合剂,其中,(a)树脂的1%重量减少温度为300℃以上。
4.如权利要求1或2所述的临时粘接用粘合剂,其中,以相对于(a)树脂而言为0.01~30重量%的量含有(b-1)通式(2)表示的硅氧烷聚合物。
5.如权利要求1或2所述的临时粘接用粘合剂,其中,还含有(c)溶剂。
6.如权利要求5所述的临时粘接用粘合剂,其中,所述(c)溶剂含有SP值为7.5~9.0的溶剂。
7.如权利要求5所述的临时粘接用粘合剂,其中,所述(c)溶剂含有通式(6)表示的溶剂,
式(6)中,R25及R26各自独立地表示氢、碳原子数为1~12的烷基、乙酰基或芳香族基团;R27表示氢或甲基;b为0、1或2中的任一者,c为1~3的整数。
8.如权利要求1或2所述的临时粘接用粘合剂,其中,还含有无机微粒。
9.粘合剂层,其是通过形成权利要求1~8中任一项所述的临时粘接用粘合剂的涂层而得到的。
10.晶片加工体,其是将半导体电路形成基板与支承基板至少介由权利要求9所述的粘合剂层进行接合而成的。
11.晶片加工体,其是将半导体电路形成基板与支承基板介由权利要求9所述的粘合剂层进行接合而成的。
12.半导体器件的制造方法,其是使用权利要求10或11所述的晶片加工体的半导体器件的制造方法,其特征在于,包括下述工序中的至少任一者:对所述半导体电路形成基板进行加工而使其变薄的工序;将所述晶片加工体的所述半导体电路形成基板加工成元器件的工序;将所述晶片加工体的所述半导体电路形成基板从支承基板剥离的工序;及利用溶剂对附着在已从所述晶片加工体剥离的所述半导体电路形成基板上的粘合剂层或附着在所述晶片加工体的所述支承基板上的粘合剂层进行清洗的工序。
13.半导体器件的制造方法,其中,权利要求12所述的对半导体电路形成基板进行加工而使其变薄的工序包括下述工序:将半导体电路形成基板的厚度加工成1μm以上100μm以下。
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