[发明专利]一种柔性衬底上晶体取向和极性可控的外延AZO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911052006.2 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110724922B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐从康;李永宽;王江涌 | 申请（专利权）人： | 汕头大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 曹江;周增元 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 衬底 晶体 取向 极性 可控 外延 azo 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性衬底上半极性外延AZO薄膜的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
（1）将由镍合金基带与织构化缓冲层构成的耐高温柔性衬底和靶材放入真空室并抽真空，并给衬底加热，所述靶材为纯度高于99.9%的AZO靶材，掺杂质量比Al2O3:ZnO为2:98；
（2）通过流量控制器给真空室通入气体，所述气体为氩气；
（3）通过磁控溅射生长AZO薄膜；
步骤（1）所述织构化缓冲层为MgO、LMO中的一种，所述织构化缓冲层的晶体结构是简立方；
所述织构化缓冲层为MgO时，步骤（1）加热的温度为400-450℃；
所述织构化缓冲层为LMO时，步骤（1）加热的温度为350-500℃；
所述半极性外延AZO薄膜的面外取向为(100)、(002)、(101)。
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤（1）所述镍合金基带包括哈氏合金和镍-钨合金。
3.根据权利要求1所述制备方法制备所得的 柔性衬底上半极性外延AZO薄膜。
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