[发明专利]环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上设有阳极光透电导层、阳极盘银弯线层和薄发光层，所述的阳极光透电导层和阳极盘银弯线层相连，所述的薄发光层制作在阳极光透电导层上面；在后硬透玻璃板上设有环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构。具有制作结构稳定可靠、发光背光源的发光亮度高的优点。

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、纳米科学与技术领域、真空科学与技术领域、微电子科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种具有良好导电性能的纳米级管状材料，能够在真空环境中进行电子发射。众多的碳钠米管被制作在一起，能够形成碳纳米管层；该碳纳米管层能够被应用于发光背光源真空元器件中，充当发光背光源的碳纳米管阴极，从而为发光背光源提供足够的阴极电流。

但是，在三极结构的发光背光源中，还存在着一些技术困难需要解决。第一，门极对碳纳米管层电子发射的控制作用很差。对于较低的门极电压，碳纳米管层根本就不进行电子发射；而对于较高的门极电压，碳纳米管层能够进行电子发射，但是碳纳米管层的电子发射数量却并不严格随着门极电压的变化而随之而改变。这些都是门极对碳纳米管的电子发射具有很差控制能力的具体表现。第二，碳纳米管层的制作面积较小。碳纳米管层是由众多的碳纳米管构成的，没有足够制作面积的碳纳米管层，也就无法形成发光背光源的大阴极电流，这是无需置疑的。第三，碳纳米管层的电子发射效率十分低下。在碳纳米管层中，随着强大电场的形成，有的碳纳米管能够进行微量电子发射，有的碳纳米管能够进行较大数量的电子发射，但还有较大部分的碳纳米管根本就不进行电子发射，这也是发光背光源无法形成大阴极电流的一个不利因素。这些技术困难需要仔细考虑并认真研究。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种制作结构稳定可靠的、发光背光源的发光亮度高的环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上设有阳极光透电导层、阳极盘银弯线层和薄发光层，所述的阳极光透电导层和阳极盘银弯线层相连，所述的薄发光层制作在阳极光透电导层上面；在后硬透玻璃板上设有环周双连凹面阴极加固弧直坡门控结构。