[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法

权利要求书

1.一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：MOSFET陷阱辅助隧穿模型为由初始模型优化而成的优化模型；

所述初始模型中陷阱辅助隧穿电流为初始第一函数和第二函数的乘积；所述初始第一函数与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关；所述第二函数为和漏极电流相关的函数；所述初始第一函数的参数和器件的尺寸或偏压变化无关；

所述初始模型的公式为：

表示所述初始模型的陷阱辅助隧穿电流，F1(jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs)表示初始第一函数，F(Id)表示第二函数，Id表示漏极电流；

W_effcj表示源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的有效宽度；Vbs表示衬底和源极之间的电压，Vth表示阈值电压；

jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数；T表示温度；

所述优化模型中具有由所述初始第一函数优化而成的优化第一函数，所述优化第一函数的参数为随器件尺寸或偏压而变化的函数，使MOSFET的尺寸或偏压变化时，所述优化第一函数的参数也随之变化，使所述MOSFET陷阱辅助隧穿模型中的所述陷阱辅助隧穿电流的仿真精度提升。

2.如权利要求1所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：所述优化第一函数的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs；

jtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的饱和电流；

njtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的非理想因素；

vtsswgs为MOSFET的源极栅极边缘侧壁陷阱辅助的电压参数。

3.如权利要求2所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：所述优化第一函数的公式为：

其中，F(jtsswgs，njtsswgs，vtsswgs)表示所述优化第一函数，W_effcj表示源极栅极边缘侧壁陷阱辅助结的有效宽度；Vbs表示衬底和源极之间的电压，Vth表示阈值电压。

4.如权利要求3所述的MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：参数jtsswgs的函数公式为：

jtsswgs＝jtsswgs0*jtsswgs_wl；

jtsswgs_wl＝(r_rjtsswg+l_rjtsswg/pwr((l*scale_mos*1e6)，ll_rjtsswg)+w_rjtsswg/pwr((w/nf*scale_mos*1e6)，ww_rjtsswg)+p_rjtsswg/(l*scale_mos*1e6*w/nf*

scale_mos*1e6))；

其中，jtsswgs0为jtsswgs中和器件的尺寸无关的参数；

jtsswgs_wl为jtsswgs中和器件的尺寸相关的参数；

r_rjtsswg为jtsswgs_wl中最大尺寸对应的参数；

l_rjtsswg是jtsswgs_wl中L方向上的拟合参数

ll_rjtsswg是jtsswgs_wl中L方向上的拟合参数；

pwr()为求幂函数；

l为器件的沟道区的长度；

scale_mos为器件的等比例缩小因子；

w_rjtsswg是jtsswgs_wl中W方向上的拟合参数；

ww_rjtsswg是jtsswgs_wl中W方向上的拟合参数；

w为器件的宽度；

nf为并行管子的个数；

p_rjtsswg为jtsswgs_wl中最小尺寸的相关拟合参数。