[发明专利]反溅射率的测量方法

权利要求书

1.一种反溅射率的测量方法，其特征在于，包括：

在晶圆上通过溅射工艺形成第一薄膜层；

在所述第一薄膜层上，同时通过所述溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括相同的材料；

通过第一薄膜层的第一厚度、所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度之和，以及形成所述第二薄膜层的时间计算得到反溅射率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层为金属薄膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜层为铜薄膜层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过溅射工艺形成第一薄膜层，包括：

通过氩离子轰击铜靶材，在所述晶圆上沉积形成所述第一薄膜层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一薄膜层上，同时通过所述溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层，包括：

通过氩离子轰击所述铜靶材，在所述第一薄膜层上沉积铜层，通过铜离子轰击所述第一薄膜层上沉积的铜层，对所述第一薄膜层上沉积的铜层进行刻蚀，在所述第一薄膜层上形成第二薄膜层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述通过第一薄膜层的第一厚度、所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度之和，以及形成所述第二薄膜层的时间计算得到反溅射率，包括：

通过所述第一厚度、所述厚度之和，以及形成所述第二薄膜层的时间，通过以下公式计算得到所述反溅射率：

反溅射率＝(A*H₁-H)/t

其中，A为铜元素在不同的溅射环境下的速率比值系数，H₁为所述第一厚度，H为所述厚度之和，t为形成所述第二薄膜层的时间。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一薄膜层上，同时通过所述溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层之前，还包括：

通过所述第一薄膜层测量所述第一厚度；

所述通过第一薄膜层的第一厚度、所述第二薄膜层的第二厚度，以及形成所述第二薄膜层的时间计算得到反溅射率之前，还包括：

通过所述第一薄膜层和所述第二薄膜层，测量所述厚度之和。

8.根据权利7所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一薄膜层测量所述第一厚度，包括：

测量所述第一薄膜层的第一方块电阻；

根据所述第一方块电阻和铜的电阻率，计算得到所述第一厚度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一薄膜层和所述第二薄膜层，测量所述厚度之和，包括：

测量所述第一薄膜和所述第二薄膜的第二方块电阻；

根据所述第二方块电阻和所述铜的电导率，计算得到所述厚度之和。