[发明专利]发光二极管封装结构及其承载座

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：

一承载座，包含：

一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；及

一多层式围墙，形成于所述基板的所述第一板面，并且所述多层式围墙包含有：

一第一墙体，呈环形且设置于所述第一板面，并且被所述第一墙体所围绕的所述第一板面的部位定义为一固晶区域；及

一第二墙体，呈环形且堆叠于所述第一墙体上，以使所述第一墙体、所述第二墙体、及所述固晶区域共同包围形成一容置空间；

多个发光二极管芯片，安装于所述基板的所述固晶区域、且位于所述容置空间内；以及

一封装胶体，填充于所述容置空间，以使多个所述发光二极管芯片埋置于所述封装胶体内。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述多层式围墙的一外侧缘具有一最大外径，而所述多层式围墙的一内侧缘具有一最小内径，并且所述最小内径为所述最大外径的至少80％。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述多层式围墙的一外侧缘与一内侧缘彼此间隔有一最大宽度，并且所述最大宽度不大于所述多层式围墙相较于所述第一板面的一高度值。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一墙体与所述第二墙体各为头尾相接而成的一环状结构，并且所述第二墙体的一头尾接合处的位置不同于所述第一墙体的一头尾接合处的位置。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二墙体的底缘呈内凹状、并无间隙地连接于所述第一墙体的顶缘；于垂直所述基板的所述多层式围墙的一剖面中，所述第二墙体的一顶缘与所述底缘皆呈圆弧状，并且所述第二墙体的所述顶缘的一曲率半径小于所述第二墙体的所述底缘的一曲率半径。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个所述发光二极管芯片呈长形并定义有一长轴方向，并且多个所述发光二极管芯片区分为一第一芯片群组与一第二芯片群组，并且所述第一芯片群组中的任一个所述发光二极管芯片的所述长轴方向平行于一第一方向，而所述第二芯片群组中的任一个所述发光二极管芯片的所述长轴方向平行于一第二方向，并且所述第一方向非平行于所述第二方向。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二芯片群组围绕于所述第一芯片群组的外侧；于所述第二芯片群组中，任一个所述发光二极管芯片与所述多层式围墙之间的最小距离，其为另一个所述发光二极管芯片与所述多层式围墙之间最小距离的90％-110％。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述多层式围墙的一内侧缘于所述第一墙体与所述第二墙体的连接处形成有一环形槽，并且所述环形槽相较于所述第一板面的一高度值大于任一个所述发光二极管芯片的厚度；所述封装胶体填满所述环形槽。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装胶体包含有埋置于内的多个荧光粉；于垂直所述基板的所述多层式围墙的一剖面中，所述第二墙体的一顶缘呈圆弧状、且具有一曲率半径，所述曲率半径不大于所述第二墙体的一最大宽度的50％。

10.一种发光二极管封装结构的承载座，其特征在于，所述发光二极管封装结构的承载座包括：

一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；以及

一多层式围墙，形成于所述基板的所述第一板面，并且所述多层式围墙包含有：

一第一墙体，呈环形且设置于所述第一板面，并且被所述第一墙体所围绕的所述第一板面的部位定义为一固晶区域，用来供至少一个发光二极管芯片固定于上；及

一第二墙体，呈环形且堆叠于所述第一墙体上，以使所述第一墙体、所述第二墙体、及所述固晶区域共同包围形成一容置空间。