[发明专利]一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法

权利要求书

1.一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将反应烧结SiC陶瓷的侧面进行表面处理；

S2：将表面处理后的SiC陶瓷置于平铺的Si粉中掩埋，之后置于真空环境中升温，使Si直接浸渗到所述表面处理后的SiC陶瓷的疏松芯部中缺陷位置处，保温一段时间后降温，去除残余的Si，得到致密化的SiC陶瓷；

所述步骤S2中的所述升温控制为以40-60℃/h的速率升温至1520-1620℃，保温时间为1-3h；所述降温控制为以5-7℃/h的速率降温至1380-1420℃，使二次浸渗的Si与原有Si结合并反应均匀，之后以40-60℃/h的速率冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述表面处理为打磨，打磨后的SiC陶瓷的侧面平整光滑，打磨精度为±0.1mm。

3.根据权利要求1所述的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，其特征在于，所述步骤S2中所述平铺的Si粉为足量，使所述表面处理后的SiC陶瓷能整体没入其中。

4.根据权利要求1所述的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，其特征在于，所述步骤S2中采用烧结炉进行温度控制，所述烧结炉的内部调节为真空环境。

5.根据权利要求1所述的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述升温控制为以50℃/h的速率升温至1570℃，保温时间为2h；所述降温控制为以6℃/h的速率降温至1400℃，使二次浸渗的Si与原有Si结合并反应均匀，之后以50℃/h的速率冷却至室温。