[发明专利]一种铜锆铝三元非晶合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种铜锆铝三元非晶合金薄膜，其特征在于，其包括的成分及其原子百分比含量为：10～13.0at.％Al，38.0at.％Zr，以及余量的Cu；

所述薄膜厚度为1.147-1.252μm，为双相非晶结构。

2.一种如权利要求1所述铜锆铝三元非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法制备，具体包括以下步骤：

S1：制备靶材：将分别含有Cu，Zr，Al元素的材料进行冶炼以制备单一合金靶材，所述靶材包括的成分及其原子百分比含量为：10～13.0at.％Al，38.0at.％Zr，以及余量的Cu；

S2：选择单晶硅或不锈钢作为衬底材料，将衬底表面进行平整化处理以使其光滑，然后清洁干燥；

S3：进行磁控溅射：所述磁控溅射的参数为，背底真空度值小于或等于5×10^-4Pa，功率为36～96W，靶基距为60mm，保护气体气压为1.2Pa，即获得所述铜锆铝三元非晶合金薄膜。

3.根据权利要求2所述铜锆铝三元非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述清洁干燥具体为依次经过去离子水超声清洗、酒精清洗、丙酮超声清洗和去离子水清洗，最后暖风吹干待用。

4.根据权利要求2所述铜锆铝三元非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，进行磁控溅射的参数还包括：衬底转速8rpm，溅射时间均为30min。

5.根据权利要求2所述铜锆铝三元非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述保护气体为氩气。