[发明专利]一种温度补偿声表滤波器的改善结构及其方法

权利要求书

1.一种温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于包括以下步骤：

1）于压电基板上沉积金属层，图形化所述金属层形成叉指换能器和反射器，反射器位于叉指换能器两侧，叉指换能器和反射器形成功能区；所述叉指换能器包括间插设置的两个叉指电极，各叉指电极分别设有反向于间插方向的引出线；然后沉积补偿环层，图形化所述补偿环层形成补偿环，补偿环环绕于功能区外围并让位于所述引出线；补偿环层的材料为SiO₂或Si₃N₄；

2）沉积温度补偿层；所述温度补偿层是SiO₂或其掺杂薄膜；温度补偿层覆盖功能区、补偿环和裸露的压电基板；

3）对温度补偿层实施CMP处理，于对应补偿环的表面形成斜坡。

2.根据权利要求1所述的温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于：所述金属层的材料包括钛、铝、铜含量0.5~2%的铝铜合金、金及其组合。

3.根据权利要求1所述的温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于：所述补偿环包括若干间隔排列的补偿块，该些补偿块的间隔为3~20µm。

4.根据权利要求1所述的温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于：所述补偿环与功能区边缘的距离为3~20µm，宽度为≥5µm，厚度是叉指换能器和反射器厚度的0.95～1.05。

5.根据权利要求1所述的温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于：步骤1）中，所述叉指换能器和反射器的厚度为100~300nm，步骤2）中，沉积所述温度补偿层的厚度为1µm，步骤3）中，通过CMP处理将所述温度补偿层厚度减少至1µm±0.05µm。

6.根据权利要求1所述的温度补偿声表滤波器的结构改善方法，其特征在于：所述温度补偿层通过磁控溅射镀膜或化学气相沉积的方法形成。

7.一种权利要求1~6任一项所述的方法制备的温度补偿声表滤波器的改善结构，其特征在于：包括压电基板、叉指换能器、反射器、补偿环和温度补偿层；叉指换能器、反射器和补偿环设于压电基板上，其中反射器位于叉指换能器两侧且两者形成功能区，所述叉指换能器包括间插设置的两个叉指电极，各叉指电极分别设有反向于间插方向的引出线；补偿环绕设于功能区外侧并让位于所述引出线；温度补偿层覆盖功能区、补偿环和裸露的压电基板，且于对应补偿环的表面形成斜坡；补偿环层的材料为SiO₂或Si₃N₄；温度补偿层是SiO₂或其掺杂薄膜。