[发明专利]一种荧光型聚酰亚胺薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种荧光型聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，向芳香型二胺溶液中第一次加入芳香型二酐反应至粘度1，加入混合溶液搅拌混匀，再第二次加入芳香型二酐调节至粘度2得到中间物料；取中间物料脱泡并涂布于基板表面，烘干，剥离薄膜，亚胺化得到荧光型聚酰亚胺薄膜，其中，混合溶液的溶质为荧光粉体、石墨烯、硅烷偶联剂。本发明还公开了一种荧光型聚酰亚胺薄膜，按照上述荧光型聚酰亚胺薄膜的制备方法制得。本发明热稳定性好，耐高低温，耐腐蚀，具有优异的力学性能，同时发光均匀。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种荧光型聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

背景技术

荧光型薄膜封装LED作为一种新型封装工艺，可以提高发光效率、提升LED的使用寿命和发光均匀性等，具有广阔的运用前景。但对于大功率LED发光设备的散热问题是荧光薄膜应用的一个难点，LED芯片长时间工作后会产生大量的热，这会造成荧光薄膜的老化，甚至发生形变，造成发光不均。目前的LED荧光薄膜的制造方法一般是荧光粉直接与胶直接混合搅拌均匀，通过旋涂、印刷等方式制膜，烘干固化后制得，该类荧光薄膜结构稳定性差，耐热性能差，发光不均等不足，很大程度上限制了其应用空间。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种荧光型聚酰亚胺薄膜及其制备方法，本发明热稳定性好，耐高低温，耐腐蚀，具有优异的力学性能，同时发光均匀。

本发明提出的一种荧光型聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，向芳香型二胺溶液中第一次加入芳香型二酐反应至粘度1，加入混合溶液搅拌混匀，再第二次加入芳香型二酐调节至粘度2得到中间物料；取中间物料脱泡并涂布于基板表面，烘干，剥离薄膜，亚胺化得到荧光型聚酰亚胺薄膜，其中，混合溶液的溶质为荧光粉体、石墨烯、硅烷偶联剂。

优选地，粘度1为500-1500泊。

优选地，粘度2为2000-3000泊。

优选地，芳香型二胺为4,4'-二氨基二苯醚、对苯二胺、3,4'-二氨基二苯醚中的至少一种。

优选地，芳香型二胺为4,4'-二氨基二苯醚。

优选地，芳香型二酐为均苯四甲酸二酐和3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐。

优选地，芳香型二酐中，均苯四甲酸二酐的摩尔百分比为70-90％。

优选地，中间物料的固含量为10-20wt％。

优选地，中间物料的固体组分中，荧光粉体含量为11-26wt％，石墨烯含量为11-27wt％，偶联剂含量为1-5wt％。

优选地，荧光粉体为绿粉MgAl₁₁O₁₉：Ce³⁺、绿粉MgAl₁₁O₁₉：Tb³⁺、ZnSiO₄：Mn和LuAG中至少一种。

优选地，荧光粉体的粒径为0.1-2.0μm。

优选地，芳香型二酐和芳香型二胺的摩尔比为0.97-1.03：1。

优选地，第一次加入芳香型二酐为芳香型二酐总重量的95-98％。

优选地，烘干温度为100-200℃。

优选地，烘干温度为150-200℃。

优选地，烘干时间为5-20min。

优选地，烘干时间为5-15min。

优选地，亚胺化温度为200-450℃。

优选地，亚胺化温度为300-450℃。