[发明专利]检测装置

权利要求书

1.一种检测装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

检测部，其设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及

噪声抑制层，其设置于所述检测部的下方的所述半导体基板内，或所述检测部与所述半导体基板之间。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，

所述噪声抑制层是设置于所述半导体基板内的极性与所述半导体基板相反的扩散层。

3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，

对所述噪声抑制层赋予将与所述半导体基板之间的pn结设为逆偏置的固定电位。

4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，

所述噪声抑制层是设置于所述检测部与所述半导体基板之间的由金属或多晶硅构成的导电层。

5.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，

通过包含所述噪声抑制层的以极性交替反转地方式层压的多个半导体层形成噪声抑制部。

6.根据权利要求5所述的检测装置，其特征在于，

对所述噪声抑制部施加将形成于所述多个半导体层的层间的各pn结设为逆偏置的电压。

7.根据权利要求5所述的检测装置，其特征在于，

所述噪声抑制部包括形成于所述半导体基板的表层的扩散层，

所述扩散层作为因电流流过而发热的电阻体发挥作用。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置，其特征在于，

所述检测部具有在一对电极间配置有湿敏膜的湿度检测用电容器，输出与湿度对应的信号。

9.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，

所述湿度检测用电容器具有：

形成于所述半导体基板的上方的下部电极；

形成于所述湿敏膜上的上部电极；以及

配置于所述下部电极与所述上部电极之间的所述湿敏膜。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，

所述检测部具有：参照用电容器，其由所述下部电极、配置于所述噪声抑制层与所述下部电极之间的参照电极、配置于所述参照电极与所述下部电极之间的绝缘膜构成。

11.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，

所述湿敏膜由聚酰亚胺形成。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置，其特征在于，

所述检测装置具有：

第1半导体芯片，其包含所述半导体基板、所述检测部和所述噪声抑制层；以及

第2半导体芯片，其包含驱动所述检测部的驱动部和将从所述检测部输出的电荷变换为电压的电荷电压变换部，

所述第1半导体芯片被层压在所述第2半导体芯片上。

13.根据权利要求12所述的检测装置，其特征在于，

所述驱动部对所述检测部施加交流的驱动信号。

14.一种检测装置，其特征在于，具有：

第1半导体芯片，其具有半导体基板和检测部，该检测部设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及

第2半导体芯片，其包含驱动所述检测部的驱动部和将从所述检测部输出的电荷变换为电压的电荷电压变换部，

所述第1半导体芯片被层压在所述第2半导体芯片上，在所述检测部与所述第2半导体芯片之间设有噪声抑制层。

15.根据权利要求14所述的检测装置，其特征在于，

所述噪声抑制层被设置在所述检测部与所述半导体基板之间。

16.根据权利要求14所述的检测装置，其特征在于，

所述噪声抑制层被设置在所述检测部的下方的所述半导体基板内。