[发明专利]显示模组和显示装置有效
申请号: | 201911054304.5 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110750020B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 刘冰萍;吴晓晓;陈国照 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G06V40/13;G06V10/14 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 张育英 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 显示装置 | ||
1.一种显示模组,其特征在于,包括:
多个子像素,多个所述子像素沿第一方向和第二方向阵列排布,所述第一方向与所述第二方向交叉;
阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板和指纹识别单元,所述指纹识别单元包括感光半导体层;沿所述第二方向,所述感光半导体层在所述衬底基板所在平面的正投影位于相邻两个所述子像素之间;
所述阵列基板还包括第一遮光层,所述第一遮光层位于所述感光半导体层靠近所述衬底基板的一侧,所述第一遮光层在所述感光半导体层所在平面的正投影完全覆盖所述感光半导体层;所述第一遮光层沿所述第一方向的长度大于等于相邻两个所述子像素沿所述第一方向的长度之和;
所述阵列基板还包括遮光结构,所述遮光结构位于所述第一遮光层远离所述衬底基板的一侧;
所述遮光结构在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一遮光层在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分交叠;
所述阵列基板还包括栅极金属层、源漏金属层、缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层;所述缓冲层位于所述第一遮光层远离所述衬底基板的一侧,所述栅极绝缘层位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,所述栅极金属层位于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧,所述层间绝缘层位于所述栅极金属层远离所述衬底基板的一侧,所述源漏极金属层位于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧;
所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层包括第一过孔,所述感光半导体层位于所述第一过孔内;
所述阵列基板还包括第二遮光层,所述第二遮光层位于所述源漏金属层远离所述衬底基板的一侧;所述源漏金属层和所述第二遮光层之间还包括平坦化层;
所述第二遮光层包括镂空部,在所述衬底基板所在平面的方向上,所述镂空部与所述感光半导体层至少部分重叠;
所述遮光结构包括第一遮光结构和第二遮光结构,所述第一遮光结构与所述感光半导体层在所述衬底基板所在平面的正投影沿所述第一方向排布,所述第二遮光结构与所述感光半导体层在所述衬底基板所在平面的正投影沿所述第二方向排布;
所述第一遮光结构至少贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层,或者至少贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层;
所述第二遮光结构至少贯穿所述第二遮光层和所述缓冲层之间的所有膜层。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述第一遮光层在所述感光半导体层所在平面的正投影的边缘与所述感光半导体层的边缘之间的最短距离d满足d>6.5μm。
3.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述遮光结构在所述感光半导体层所在平面的正投影环绕所述感光半导体层。
4.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述阵列基板还包括多条扫描线和多条数据线,以及与所述扫描线和所述数据线相连的薄膜晶体管;所述扫描线沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向排列,所述数据线沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向排列;所述扫描线和所述数据线交叉限定出多个子像素区,所述子像素位于所述子像素区;其中,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层;
所述栅极与所述扫描线位于所述栅极金属层;
所述源极、所述漏极与所述数据线位于所述源漏极金属层;
所述有源层位于所述缓冲层和所述栅极绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述第二遮光层的材料包括吸光树脂。
6.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述第一遮光结构包括贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一子遮光结构,所述第二遮光结构包括贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二子遮光结构;和/或,所述第一遮光结构包括贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三子遮光结构,所述第二遮光结构包括贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第四子遮光结构。
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