[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的第一遮光层；

光感结构，位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；

第二遮光层，位于所述光感结构背离所述衬底基板的一侧；

遮光结构，位于所述第一遮光层和所述第二遮光层之间；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述遮光结构包围所述光感结构，且所述遮光结构至少包括第一遮光分部和第二遮光分部，所述第一遮光分部位于靠近所述第一遮光层的一侧，所述第一遮光分部和所述第二遮光分部采用不同的制备工序制备形成；

所述遮光结构包括第一遮光分部和第二遮光分部；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一遮光分部靠近所述第一遮光层一侧的表面与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第一遮光层的位置与所述第一遮光层背离所述衬底基板一侧的表面之间的距离，和/或，所述第二遮光分部靠近所述第二遮光层一侧的表面与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离小于所述光感结构最靠近所述第二遮光层的位置与所述第二遮光层朝向所述衬底基板一侧表面之间的距离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅极层和源漏电极层；所述栅极层位于所述衬底基板和所述源漏电极层之间；所述源漏电极层位于所述第二遮光层靠近所述衬底基板的一侧；

多个驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述栅极层，所述源极和所述漏极位于所述源漏电极层；

所述第一遮光分部与所述栅极层或者所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光分部和所述第二遮光分布相邻设置。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层和平坦化层；

所述缓冲层位于所述第一遮光层背离所述衬底基板的一侧；所述平坦化层位于所述源漏电极层朝向所述第二遮光层的一侧；所述层间介质层位于所述平坦化层和所述栅极绝缘层之间；

所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧；或者，所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层和所述层间介质层，且与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；

所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述平坦化层、所述层间介质层以及所述栅极绝缘层，与所述第二遮光层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第一遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部至少贯穿所述栅极绝缘层，且与所述栅极层采用相同的制备工序制备形成；

所述栅极绝缘层位于所述栅极层朝向所述第二遮光层的一侧时，所述第二遮光分部贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且与所述源漏电极层采用相同的制备工序制备形成；所述第一遮光分部贯穿所述缓冲层，且与栅极层采用相同的制备工序制备形成。