[发明专利]包括电致发光元件的显示装置在审
申请号: | 201911056626.3 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN111613639A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 田中荣 | 申请(专利权)人: | 三国电子有限会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 石伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电致发光 元件 显示装置 | ||
1.一种电致发光显示装置,其特征在于包含:
包含选择晶体管、驱动晶体管、及EL元件的像素,
与所述选择晶体管的栅极电连接的扫描信号线,
与所述选择晶体管的源极电连接的数据信号线,及
对所述EL元件施加电压的载流子注入量控制信号线;
所述EL元件具有:
第1电极、
具有与所述第1电极对向的区域的第3电极、
所述第1电极与所述第3电极之间的第1绝缘层、
所述第1绝缘层与所述第3电极之间的电子传输层、
所述电子传输层与所述第3电极之间的包含电致发光材料的发光层、及
第2电极,所述第2电极配置在所述第1电极、所述第1绝缘层、所述电子传输层、及所述第3电极重叠的区域的外侧,且与所述电子传输层接触;
所述第1电极与所述载流子注入量控制信号线电连接,
所述第2电极与所述驱动晶体管的漏极连接,
所述第3电极施加恒定电压。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述EL元件通过所述载流子注入量控制信号线的电压来控制所述发光层中的发光位置。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述EL元件具有发光周期与非发光周期,
所述载流子注入量控制信号线在发光周期中对所述第1电极施加恒定电压。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述EL元件具有发光周期与非发光周期,
所述载流子注入量控制信号线在发光周期中对所述第1电极施加阶梯状波形或正弦波状波形的电压。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述电子传输层包含金属氧化物半导体材料。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述驱动晶体管包含形成沟道区域的金属氧化物半导体层,所述金属氧化物半导体层与所述电子传输层连接。
7.一种电致发光显示装置,其特征在于包含:
多个像素,其包含选择晶体管、驱动晶体管、及EL元件,排列在第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向上;
多个扫描信号线,其与所述选择晶体管的栅极电连接,在所述第1方向上进行配线且排列在所述第2方向上;
多个数据信号线,其与所述选择晶体管的源极电连接,在所述第2方向上进行配线且排列在所述第1方向上;
多个载流子注入量控制信号线,其与所述EL元件连接,在所述第1方向或所述第2方向上进行配线,排列在所述第2方向或所述第1方向上;
所述EL元件具有:
第1电极、
具有与所述第1电极对向的区域的第3电极、
所述第1电极与所述第3电极之间的第1绝缘层、
所述第1绝缘层与所述第3电极之间的电子传输层、
所述电子传输层与所述第3电极之间的包含电致发光材料的发光层、及
第2电极,所述第2电极配置在所述第1电极、所述第1绝缘层、所述电子传输层、及所述第3电极重叠的区域的外侧,且与所述电子传输层接触;
所述第1电极与所述多个载流子注入量控制信号线的1根电连接,
所述第2电极与所述驱动晶体管的漏极连接,
所述第3电极施加恒定电压。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述多个数据信号线中的至少第1数据信号线与第2数据信号线以属于相同列的方式进行配线,
所述多个像素中的排列在所述第2方向上的第n个像素的所述选择晶体管与所述第1数据信号线电连接,
所述多个像素中的排列在所述第2方向上的第n+1个像素的所述选择晶体管与所述第2数据信号线电连接。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置,其特征在于,
所述第1数据信号线与所述第2数据信号线夹着绝缘层而重叠配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的