[发明专利]一种硅片表面清洁装置和方法

权利要求书

1.一种硅片表面清洁装置，其特征在于，包括液滴对外接口、液滴吸附槽本体、中间连接件、正压喷气口本体和正压对外接口；

所述液滴对外接口的第一端与所述液滴吸附槽本体的液滴抽取端连接，所述液滴对外接口的第二端连接负压气体管路，用于将所述液滴吸附槽本体内的液滴抽取至所述负压气体管路；

所述液滴吸附槽本体朝向待除液硅片背面的一侧设置有液滴收集开口；所述液滴吸附槽本体用于通过所述液滴收集开口收集所述待除液硅片背面的液滴；

所述正压喷气口本体通过所述中间连接件与所述液滴吸附槽本体连接，所述中间连接件与所述正压喷气口本体的连接处在朝向待除液硅片背面的一侧形成喷气开口；所述正压对外接口的第一端与所述正压喷气口本体的进气端连接，所述正压对外接口的第二端与正压气体管路连接，所述正压气体管路用于向所述正压喷气口本体提供喷射气体；

所述正压喷气口本体用于通过所述喷气开口向所述待除液硅片背面喷气，以使所述待除液硅片背面的液滴汇聚至所述液滴收集开口处对应位置。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷气开口为喷气狭缝，所述喷气狭缝的宽度为0.05mm-0.2mm。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述喷气狭缝包括第一子狭缝、第二子狭缝和第三子狭缝，所述第一子狭缝的第一端连接所述第二子狭缝的第一端，所述第二子狭缝的第二端连接所述第三子狭缝的第一端；

所述第一子狭缝和所述第三子狭缝关于所述第二子狭缝镜像对称；

所述第二子狭缝平行于所述液滴收集开口的延伸方向；

所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的一边的中点或者所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的点，与所述第二子狭缝的第一端的连线和所述第一子狭缝垂直；所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的一边的中点或者所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的点，与所述第二子狭缝的第二端的连线和所述第三子狭缝垂直。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一子狭缝的长度和第三子狭缝的长度均为B，且B为所述第二子狭缝的长度A的0.3-0.5倍。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二子狭缝与所述液滴收集开口的间距C满足：

其中，α为所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的一边的中点或者所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的点，与所述第二子狭缝的第一端的连线，和所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的一边的中点或者所述液滴收集开口临近所述第二子狭缝的点，与所述第二子狭缝的第二端的连线之间的夹角，A为所述第二子狭缝的长度。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，α大于等于90°小于等于95°。

7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述液滴收集开口的两端呈弧形，所述液滴收集开口的长度D为所述第二子狭缝的长度A的0.5-0.9倍，所述液滴收集开口的宽度K为2mm-4mm。

8.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述液滴收集开口包括多个圆形液滴收集开口，所述多个圆形液滴收集开口排布形成圆形轮廓；所述圆形轮廓的直径R小于等于所述第二子狭缝的长度A的0.5倍。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述圆形液滴收集开口的直径r为0.5mm-1mm，相邻所述圆形液滴收集开口的距离为1mm-1.5mm。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括控制台，所述控制台包括升降台和旋转台；

所述升降台与所述旋转台连接；所述旋转台背离所述升降台的一端用于放置所述待除液硅片；所述升降台用于控制所述待除液硅片升降，所述旋转台用于控制所述待除液硅片旋转。

11.一种硅片表面清洁方法，其特征在于，应用于权利要求1-10中任一项所述装置，其特征在于，所述硅片表面清洁方法包括：

将所述待除液硅片放置于所述液滴吸附槽本体靠近所述喷气开口一侧；

通过所述液滴对外接口向所述液滴吸附槽本体提供负压气体，通过所述正压对外接口向所述正压喷气口本体提供正压气体；

所述正压喷气口本体通过所述喷气开口向所述待除液硅片背面喷气，使所述待除液硅片背面的液滴汇聚至所述液滴收集开口处对应位置；所述液滴吸附槽本体通过所述液滴收集开口收集所述待除液硅片背面的液滴；

将所述待除液硅片绕中心旋转一周。