[发明专利]一种探测面板、其制作方法及检测装置在审
申请号: | 201911056697.3 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110783355A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 赵斌;徐帅;徐晓娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测面板 偏置电压 光电转换结构 网格状结构 检测电路 衬底基板 静电聚集 静电 电连接 检测装置 静电积累 清洗工艺 接触性 触碰 疏导 抵抗 检测 制作 | ||
本发明公开了一种探测面板、其制作方法及检测装置,该探测面板包括:衬底基板,位于衬底基板之上的检测电路,位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构,以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层;偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构,当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时,网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出,避免静电聚集于探测面板表面,提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良,进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。
技术领域
本发明涉及探测面板技术领域,特别涉及一种探测面板、其制作方法及检测装置。
背景技术
基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)技术制作的平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector,FPXD)是数字影像技术中至关重要的元件,由于其具有成像速度快,良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点,广泛应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
发明内容
本发明实施例提供一种探测面板、其制作方法及检测装置,用以解决现有技术中由于检测人员触碰面板表面或清洗工艺不完全,造成静电聚集于面板表面,从而造成面板表面接触性不良的问题。
本发明实施例提供了一种探测面板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的检测电路,位于所述检测电路之上、且与所述检测电路电连接的光电转换结构,以及位于所述光电转换结构之上、且与所述光电转换结构电连接的偏置电压层;
所述偏置电压层具有网格状结构。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述探测面板中,所述偏置电压层的材料为透明导电材料。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述探测面板中,所述透明导电材料为ITO。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述探测面板中,还包括:位于所述偏置电压层与所述光电转换结构之间、且覆盖所述光电转换结构的缓冲层,以及位于所述缓冲层与所述偏置电压层之间、且与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述探测面板中,还包括:位于所述偏置电压层之上的闪烁层,所述闪烁层通过所述网格状结构的网孔与所述树脂层直接接触。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述探测面板中,所述光电转换结构包括在所述检测电路上依次叠层设置的第一电极、光电二极管和第二电极,所述检测电路包括薄膜晶体管,所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述第二电极与所述偏置电压层电连接。
相应地,本发明实施例还提供了一种检测装置,包括本发明实施例提供的上述任一项所述的探测面板。
相应地,本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述探测面板的制作方法,包括:
在衬底基板之上形成检测电路;
在所述检测电路之上形成光电转换结构;
在所述光电转换结构之上形成与所述光电转换结构电连接的偏置电压层;其中,所述偏置电压层具有网格状结构。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成所述偏置电压层之前,还包括:
形成覆盖所述光电转换结构的缓冲层:
在所述缓冲层上形成与所述偏置电压层接触设置的树脂层。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在形成所述偏置电压层之后,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的