[发明专利]一种薄膜电极及其液相自攀爬制备方法与应用

权利要求书

1.一种薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）制备超亲水表面与超疏水层：

取衬底，并清洗衬底表面有机物和杂质，对衬底进行羟基化处理，在衬底表面引入羟基，形成超亲水表面；然后生长疏水单分子层，羟基为生长疏水单分子层提供成键位点，疏水单分子层与所述羟基中的氧原子结合，形成超疏水层；

（2）制备亲/疏水阵列图形：

在超疏水层上放置掩膜板，所述掩膜板包括透光部分和不透光部分，用紫外光通过透光部分辐照到超疏水层上，超疏水层分解形成超亲水表面，得带有亲/疏水阵列图形的衬底；

（3）制备薄膜电极：

取生长容器，加入油相、水相和纳米导电颗粒，超声震荡，将带有亲/疏水阵列图形的衬底插入生长容器中，纳米导电颗粒沿着超亲水层爬升，从而形成薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，所述疏水单分子层为带有疏水长链的硅烷或硫醇。

3.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，所述紫外光的波长为UVC波段，辐照时间为30-60 min。

4.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，油相和水相的体积比为1:1~3；所述油相为有机相。

5.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，所述纳米导电颗粒在生长容器中的浓度不高于10 mmol/L。

6.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，所述纳米导电颗粒选自有机导电材料或无机导电材料。

7.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，疏水单分子层为带有疏水长链的全氟十二烷基三氯硅烷。

8.根据权利要求1所述的薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，超声震荡的时间为5-10 min。

9.一种由权利要求1至8所述的液相自攀爬制备方法制备的薄膜电极。

10.权利要求9所述的薄膜电极在半导体及微纳电子器件制备中的应用。