[发明专利]一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管

权利要求书

1.一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型漂移区(2)，在N型漂移区(2)的表面设有二氧化硅氧化层(7)，在P型衬底(1)与N型漂移区(2)之间设有第一N型重掺杂区(3)，在N型漂移区(2)的表面上设有作为阳极区的P型轻掺杂阳极区(10)和位于阳极区外侧并作为阴极区的N型轻掺杂阴极区(8)及N型重掺杂阴极区(9)，并且，N型重掺杂阴极区(9)设在N型轻掺杂阴极区(8)内，在P型轻掺杂阳极区(10)的表面上设有P型重掺杂阳极区(11)，在N型漂移区(2)的表面并处于N型重掺杂阴极区(9)的外侧以及N型重掺杂阴极区(9)与P型轻掺杂阳极区(10)之间的区域设有氧化层(6)，在P型重掺杂阳极区(11)、N型重掺杂阴极区(9)及P型衬底(1)上分别连接有阳极金属(anode)、阴极金属(cathode)及衬底金属(sub)，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区(10)的表面并位于P型重掺杂阳极区(11)的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区(14)、N型重掺杂区(15)和第二P型重掺杂区(16)。

2.根据权利要求1所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，第一P型重掺杂区(14)、N型重掺杂区(15)和第二P型重掺杂区(16)通过设在二氧化硅氧化层(7)内的浮空金属电极(13)实现相互电连接。

3.根据权利要求1所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区(10)表面并位于第一P型重掺杂区(14)与P型重掺杂阳极区(11)之间设有P型动态场限环(12)。

4.根据权利要求1所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，在N型漂移区(2)内并位于N型重掺杂阴极区(9)的下方设有第二N型重掺杂区(17)且第二N型重掺杂区(17)落于第一N型重掺杂区(3)上。

5.根据权利要求1所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，在P型衬底(1)内设有第一P型重掺杂衬底区(4)且所述第一P型重掺杂衬底区(4)延伸进入N型漂移区(2)内，在第一P型重掺杂衬底区(4)上连接有第二P型重掺杂衬底区(5)且所述第二P型重掺杂衬底区(5)延伸并连接于衬底金属(sub)，以实现P型衬底(1)与衬底金属(sub)的连接。

6.根据权利要求3、4或5所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，所述P型动态场限环(12)、第一P型重掺杂区(14)与第二P型重掺杂区(16)的掺杂浓度范围为1.8e14～2.3e14cm^-2。

7.根据权利要求1所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，所述N型重掺杂区(15)的浓度范围为0.8e15～1.1e15cm^-2。

8.根据权利要求4所述的提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，其特征在于，所述第二N型重掺杂区(17)的长度范围为9～9.5μm，掺杂浓度范围为22e15～33e15cm^-2。