[发明专利]一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201911058197.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110808287B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;杨玲;叶然;卢丽;王琪朝;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 品质因数 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
1.一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有N型区(2)，在N型区(2)的上方有P型体区(4)和N型漂移区(3)，在P型体区(4)内设有N型源区(5)和P型区(7)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(6)，在N型漏区(6)、N型源区(5)和P型区(7)上分别设有漏极金属接触(10)、源极金属接触(11)和体区金属接触(12)，在N型区(2)的上方设有栅氧化层(8)，并且所述栅氧化层(8)的一端始于N型源区(5)，另一端向N型漏区(6)延伸进入N型源区(3)的上方，在栅氧化层(8)的上方覆盖有多晶硅栅场板(9)，在栅氧化层(8)与N型漏区(6)之间设有场氧层(14)，且所述场氧层(14)设在N型漂移区(3)上，在场氧层(14)上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板(13B)和高位源级场板(13A)组成，在高位源级场板(13A)的下方设有由场氧层(14)局部上突形成的厚场氧层(14A)，所述厚场氧层(14A)抬高高位源级场板(13A)，并使高位源级场板(13A)与N型漂移区(3)之间的距离大于低位源级场板(13B)与N型漂移区(3)之间的距离。
2.根据权利要求1所述的一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，高位源级场板(13A)至N型漂移区(3)的距离与低位源级场板(13B)至N型漂移区(3)的距离之比为2∶1。
3.根据权利要求1所述的一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，位于高位源级场板(13A)下方的N型漂移区部分(3A)的浓度大于低位源级场板(13B)下方的N型漂移区部分(3B)的浓度。
4.根据权利要求3所述的一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，高位源级场板(13A)下方的N型漂移区部分(3A)的浓度范围为5e15～8.5e15。
5.根据权利要求3所述的一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，低位源级场板(13B)下方的N型漂移区部分(3B)的浓度为3e14～65e14。
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