[发明专利]具有垂直结构的晶体管以及电子装置在审
申请号: | 201911058507.1 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN111199992A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 成相润;朴世熙;卢智龙;赵寅晫;尹弼相 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵彤;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 垂直 结构 晶体管 以及 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,该电子装置包括:
面板;
驱动电路,该驱动电路被配置为驱动所述面板;以及
晶体管,该晶体管设置在所述面板中,所述晶体管包括:
基板;
栅极,该栅极设置在所述基板上;
第一绝缘膜,该第一绝缘膜设置在所述栅极上;
有源层,该有源层设置在所述第一绝缘膜上,所述有源层包括:
所述有源层的第一部分,所述有源层的所述第一部分与所述栅极的顶表面交叠;
所述有源层的第二部分,所述有源层的所述第二部分从所述第一部分延伸,沿所述栅极的侧表面设置并且包括沟道区域,其中,所述沟道区域设置为与所述基板不平行;以及
所述有源层的第三部分,所述有源层的所述第三部分从所述有源层的所述第二部分延伸,所述有源层的所述第三部分设置在所述第一绝缘膜的不与所述栅极交叠的一部分上;
第二绝缘膜,该第二绝缘膜设置在所述有源层上;
第一电极,该第一电极设置在所述第二绝缘膜上,所述第一电极与所述有源层的所述第一部分电连接;以及
第二电极,该第二电极设置在所述第二绝缘膜上,所述第二电极与所述有源层的所述第三部分电连接。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,在与所述有源层的所述第二部分对应的区域中,所述栅极的所述侧表面具有倒锥形形状或者所述栅极具有台阶部分。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,所述栅极具有单层结构,并且
其中,所述栅极的宽度在远离所述基板的方向上增加。
4.根据权利要求1所述的电子装置,该电子装置还包括:
绝缘图案,该绝缘图案在与所述栅极的所述侧表面对应的区域中被设置在所述有源层与所述第二绝缘膜之间。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述绝缘图案与所述有源层的所述沟道区域交叠。
6.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述绝缘图案的宽度比所述有源层的所述沟道区域的宽度宽。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述栅极具有多层结构。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其中,所述栅极包括第一栅极和设置在所述第一栅极上的第二栅极,并且
其中,所述第一栅极的宽度比所述第二栅极的宽度窄。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其中,所述第一栅极的材料与所述第二栅极的材料不同。
10.一种具有垂直结构的晶体管,该晶体管包括:
基板;
栅极,该栅极设置在所述基板上;
第一绝缘膜,该第一绝缘膜设置在所述栅极上;
有源层,该有源层设置在所述第一绝缘膜上,所述有源层包括:
所述有源层的第一部分,所述有源层的所述第一部分与所述栅极的顶表面交叠;
所述有源层的第二部分,所述有源层的所述第二部分从所述第一部分延伸,沿所述栅极的侧表面设置并且包括沟道区域,其中,所述垂直结构是所述沟道区域设置为与所述基板不平行的结构;以及
所述有源层的第三部分,所述有源层的所述第三部分从所述第二部分延伸,所述有源层的所述第三部分设置在所述第一绝缘膜的不与所述栅极交叠的一部分上;
第二绝缘膜,该第二绝缘膜设置在所述有源层上;
第一电极,该第一电极设置在所述第二绝缘膜上,所述第一电极与所述有源层的所述第一部分电连接;以及
第二电极,该第二电极设置在所述第二绝缘膜上,所述第二电极与所述有源层的所述第三部分电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的