[发明专利]限制应答器从磁场接收的电压水平的方法和对应的应答器

权利要求书

1.一种用于限制与读取器非接触式通信的应答器的集成电路的输入处的电压的方法，所述方法包括：在所述非接触式通信期间，

在所述应答器的天线处接收载波信号；以及

控制所述应答器的整流器电路的两个晶体管的栅极电压，以便修改所述集成电路的输入阻抗，其中所述两个晶体管被交叉耦合在所述天线的端子和基准电压之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非接触式通信包括：在所述天线的所述端子处接收所述载波信号，所述载波信号交替且依次使所述两个晶体管导通；并且其中控制所述两个晶体管的所述栅极电压包括：当由所述载波信号使所述两个晶体管中的一个晶体管导通时，将所述两个晶体管中的另一个晶体管作为电流源操作。

3.根据权利要求2所述的方法，将所述另一个晶体管作为电流源操作包括：将控制电压施加到所述另一个晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述两个晶体管的所述栅极电压包括：通过两个控制电压的分别施加来将所述两个晶体管依次配置为电流源。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述两个控制电压不同。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述两个晶体管是N型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述基准电压是地。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述两个晶体管是P型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述基准电压是正电源电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述载波信号具有大约13.56MHz的频率。

9.一种应答器，包括：

两个天线端子，被配置为耦合到天线；

整流器电路，其包括两个晶体管，所述两个晶体管被交叉耦合在所述两个天线端子和被配置为接收基准电压的基准端子之间；以及

控制电路，被配置为：在读取器和所述应答器之间的通信期间，控制所述两个晶体管的栅极电压，以便修改在所述两个天线端子处的输入阻抗。

10.根据权利要求9所述的应答器，其中所述两个天线端子被配置为：在所述通信期间，接收载波信号，所述载波信号交替且依次地使所述两个晶体管导通，并且其中所述控制电路被配置为：当由所述载波信号使所述两个晶体管中的一个晶体管导通时，将所述两个晶体管中的另一个晶体管作为电流源操作。

11.根据权利要求10所述的应答器，其中所述控制电路被配置为：通过向所述另一个晶体管的栅极施加控制电压，将所述另一个晶体管作为电流源操作。

12.根据权利要求11所述的应答器，其中所述控制电路被配置为：通过两个不同的控制电压的分别施加，依次将所述两个晶体管作为电流源操作。

13.根据权利要求11所述的应答器，其中所述控制电路包括两个电容器和两个辅助晶体管，其中所述两个晶体管经由所述两个电容器被交叉耦合，并且其中所述两个辅助晶体管被分别耦合在所述两个晶体管的栅极与被配置为递送所述控制电压的端子之间。

14.根据权利要求11所述的应答器，其中所述控制电路包括被配置为生成所述控制电压的第一部分和第二部分，并且其中所述第一部分和所述第二部分中的每个部分包括经由相应的电阻器而被耦合到地的两个二极管。

15.根据权利要求9所述的应答器，其中所述两个晶体管是N型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述基准电压是地。

16.根据权利要求9所述的应答器，其中所述两个晶体管是P型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述基准电压是正电源电压。