[发明专利]功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置

权利要求书

1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括：

功率半导体器件；

饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降V_CESAT；以及

寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降V_CESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述寿命提示单元包括：

压降比较单元，与所述饱和压降检测单元电性连接，将所述饱和压降检测单元检测到的所述饱和压降V_CESAT与饱和压降阈值V_CESAT(TH)进行比较。

3.如权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述寿命提示单元还包括：

警报单元，与所述压降比较单元的输出端相连接，以在V_CESAT＞V_CESAT(TH)时发送警报信号。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述寿命提示单元还包括：

存储单元，与所述饱和压降检测单元电性连接，用于存储所述饱和压降检测单元检测的所述饱和压降V_CESAT的历史数据。

5.如权利要求1-4任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，还包括：电流检测电路，分别与所述饱和压降检测单元以及所述功率半导体器件的输出端电性连接，响应于所述电流检测电路检测到所述功率半导体器件的输出端的电流达到阈值，所述饱和压降检测单元检测所述功率半导体器件当前的饱和压降V_CESAT。

6.如权利要求1-4任意一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述饱和压降检测单元包括：

饱和压降检测电路，与所述功率半导体器件电性连接；

采样电路，与所述饱和压降检测电路电性连接以对所述饱和压降V_CESAT进行采样；

屏蔽时间设置电路，与所述采样电路电性连接，以使所述采样电路经过预设时间T后开始采样，以确保所述采样电路进行采样时所述功率半导体器件工作在饱和区。

7.如权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，所述饱和压降检测电路包括：

串联于所述功率半导体器件的集电极和发射集之间的电阻R、二极管D以及稳压二极管ZD，其中，所述电阻R的一端与所述集电极相连接，另一端与所述二极管D的正极相连接，所述稳压二极管ZD的负极与所述二级管D的负极相连接，所述稳压二极管ZD的正极与所述发射极相连接。

8.如权利要求7所述的功率半导体模块，其特征在于，所述采样电路的两个输入端分别连接于所述二极管D的正极和所述稳压二极管ZD的正极。

9.一种功率半导体模块的使用寿命检测方法，用于对权利要求1-10任意一项所述的功率半导体模块的使用寿命进行检测，其特征在于，所述寿命检测方法包括步骤：

获取功率半导体器件的饱和压降V_CESAT；

根据功率半导体器件的饱和压降V_CESAT测算功率半导体器件的使用寿命。

10.一种逆变器装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的功率半导体模块。