[发明专利]IGBT模块封装结构及IGBT芯片的温度检测方法

权利要求书

1.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括：

绝缘基板；

IGBT芯片，设置于所述绝缘基板的一侧；以及

温度传感元件，贴附于所述绝缘基板异于所述IGBT芯片的一侧并且隔着所述绝缘基板与所述IGBT芯片相对设置。

2.如权利要求1所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，还包括：

温度检测端子，与所述温度传感元件相连接。

3.如权利要求2所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述温度检测端子至少部分设置于所述绝缘基板外部。

4.如权利要求1-3所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述温度传感元件为绝缘热电偶。

5.如权利要求4所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，还包括，金属基板，用于构成IGBT模块封装结构的底板，所述金属基板靠近所述IGBT芯片的一侧设置有用于收容所述温度传感元件的凹槽。

6.如权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度设置为0.6～0.8毫米，宽度设置为1.0～1.2毫米。

7.如权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述绝缘热电偶具有用于直接检测IGBT芯片的壳温的工作端以及用于向所述温度检测端子传递热电动势信息的自由端。

8.一种IGBT芯片的温度检测方法，用于对权利要求1-7中任意一项所述的IGBT模块封装结构中的IGBT芯片进行温度检测，其特征在于，所述温度检测方法包括以下步骤：

通过温度传感元件获得IGBT芯片的壳温T_C；

根据公式计算出所述IGBT芯片的结温T_j；

其中，R_th为所述IGBT芯片的外壳和所述IGBT芯片之间的热阻，P为所述IGBT芯片的热损耗值。

9.如权利要求8所述的IGBT芯片的温度检测方法，其特征在于，所述温度传感元件的温度T_C的获取方式为:通过与所述温度传感元件相连接的温度检测端子获取。

10.如权利要求8或9所述的IGBT芯片的温度检测方法，其特征在于，当所述温度传感元件为绝缘热电偶时，IGBT芯片的壳温T_C的获取方式为：首先通过检测温度传感元件的自由端的热电动势值，并通过该热电动势值获得温度传感元件检测到的IGBT芯片的壳温T_C。