[发明专利]阵列式MEMS磁传感器实时标定方法有效
申请号: | 201911059650.2 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN110672127B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 白春风;徐祥;朱琳;徐大诚 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G01C25/00 | 分类号: | G01C25/00;G06F30/20;G06F17/18 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 苏张林 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 mems 传感器 实时 标定 方法 | ||
本发明公开了一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法。本发明一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法,包括:获取阵列MEMS磁传感器实时数据并进行预处理;将阵列式MEMS磁传感器数据进行均值运算;建立统一的阵列式MEMS磁传感器标定模型;通过参数模型,设计自适应Kalman滤波算法,实现参数估计,标定过程采样点数为M,若k=M,则输出标定结果,完成阵列式MEMS磁传感器标定过程,若k<M,表示标定过程未完成,则重复上述步骤,直至标定过程结束,其中,k和M都是正整数。本发明的有益效果:(1)本发明采用统一的阵列式MEMS磁传感器测量模型,具有减小测量噪声的优点;(2)本发明设计参数估计模型,具有实时估计未知参数并构造标定结果的优点。
技术领域
本发明涉及MEMS磁传感器领域,具体涉及一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法。
背景技术
MEMS磁传感器是MEMS惯性导航系统中常用的一种传感器,可以为MEMS惯性导航系统提供航向信息。由于存在硬铁和软铁干扰,影响航向测量准确度,因此在进行航向确定之前需要对MEMS磁传感器进行标定。
传统技术存在以下技术问题:
传统的MEMS磁传感器标定方法是基于代价函数最小化的解析方法,该方法易受MEMS磁传感器测量噪声的影响使得标定参数存在偏置误差,从而影响航向测量精度。为此,需要对测量噪声进行抑制,并通过参数估计等优化方法对标定参数进行估计,完成标定过程。
发明内容
为克服传统方法在测量噪声大的MEMS磁传感器标定过程中存在偏置误差的问题,采用一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法。在对阵列式MEMS磁传感器统一测量模型构造的基础上,通过构造参数模型、设计自适应Kalman滤波算法实现参数估计,完成标定过程。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法,包括:
获取阵列MEMS磁传感器实时数据并进行预处理;
将阵列式MEMS磁传感器数据进行均值运算;
建立统一的阵列式MEMS磁传感器标定模型;
通过参数模型,设计自适应Kalman滤波算法,实现参数估计,标定过程采样点数为M,若k=M,则输出标定结果,完成阵列式MEMS磁传感器标定过程,若k<M,表示标定过程未完成,则重复上述步骤,直至标定过程结束,其中,k和M都是正整数。
在其中一个实施例中,“获取阵列MEMS磁传感器实时数据并进行预处理;”具体包括:
由MEMS磁传感器测量模型可知:
式中,表示MEMS磁传感器测量结果;Sf表示比例因子,Cno表示非正交矩阵,Csi表示软铁干扰误差,表示导航系到载体系的方向余弦矩阵,mn表示导航系下地磁场矢量,bhi表示硬铁干扰误差,bm表示偏置误差,ηm表示随机噪声;
当不考虑MEMS磁传感器存在位置变化时,MEMS磁传感器测量模型可以表示为:
式中,表示MEMS磁传感器测量结果;C=SfCnoCsi表示综合变换误差矩阵;b=SfCnobhi+bm表示综合偏置误差;表示载体系下地磁场矢量;η=ηm表示随机噪声;
考虑阵列式MEMS磁传感器测量时,其测量模型可以表示为:
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