[发明专利]一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘有效
申请号: | 201911059867.3 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN112768331B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄;倪图强;黄国民 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张妍;刘琰 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 装置 及其 电极 组件 静电 卡盘 | ||
1.一种静电卡盘,用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片,其特征在于,包括穿过该静电卡盘上表面至下表面,用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔;所述气孔内填塞有至少一个孔塞;所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔,所述通孔的内径小于所述气孔的内径;
所述气孔内孔塞的数量为多个,所述孔塞层叠设置,相邻两层所述孔塞的所述通孔交错设置,相邻两个孔塞之间具有横向缝隙。
2.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述通孔的直径为0.5mm~ 3mm。
3.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述通孔的直径为10μm ~3mm。
4.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述通孔在每个孔塞上的数量为2~50个。
5.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,一个或多个所述孔塞完全填塞或部分填塞至所述气孔内。
6.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述孔塞的材质为陶瓷。
7.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述通孔通过机械加工或激光钻孔的方式获得。
8.权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述通孔的口径和相邻通孔之间的距离可控。
9.一种下电极组件,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的静电卡盘,所述静电卡盘下方设有一用于支撑所述静电卡盘的基座,所述静电卡盘与所述基座之间设置一粘结层,所述静电卡盘上的气孔向下贯穿所述粘结层并延伸至所述基座一定深度。
10.如权利要求9所述的下电极组件,其特征在于,所述基座内设有输送冷却气体并与所述气孔连通的冷却管道。
11.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔,所述反应腔内设有如权利要求9所述的下电极组件。
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