[发明专利]氮化铝基板及III族氮化物层叠体在审
| 申请号： | 201911060185.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110589757A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 弘中启一郎;木下亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | B82Y20/00 | 分类号： | B82Y20/00;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L21/02;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝基板 氮化铝单晶基板 氮化铝单晶层 纤锌矿结构 氮化铝 高品质 高效率 基板 制作 | ||
1.一种III族氮化物层叠体，其特征在于，
具有由氮化铝构成的氮化铝基板，所述氮化铝基板至少在表面具有以相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.05°以上且0.40°以下的范围内向m轴方向倾斜的面作为主面的氮化铝单晶层，
在所述氮化铝基板的所述氮化铝单晶层的主面上，直接层叠掺杂有Si的满足以Al1－(x+y+z)GaxInyBzN表示的组成的AlGaInBN层，其中，x、y及z各自独立地为0以上且小于0.5的有理数，x、y及z的和小于0.5。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物层叠体，其特征在于，
具有在所述Al1－(x+y+z)GaxInyBzN中，x为大于0且小于0.5的有理数，y及z为0以上且小于0.5的有理数，x、y及z的和大于0且小于0.5的组成的AlGaInBN层，
在该AlGaInBN层的300K下的光致发光测定中，在4.56eV以上且小于5.96eV处观测到该AlGaInBN层的能带端发光峰，该发光峰的半值宽度为225meV以下。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物层叠体，其特征在于，
在所述氮化铝单晶层的主面上，直接层叠掺杂有Si的AlN层，即在所述Al1－(x+y+z)GaxInyBzN中，x、y及z为0，
在该AlN层的300K下的光致发光测定中，该AlN晶体的能带端发光峰的半值宽度为145meV以下，
该AlN层的表面粗糙度Ra为0.2nm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物层叠体，其特征在于，
所述主面相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.00°以上且0.40°以下的范围内向a轴方向倾斜。
5.一种III族氮化物半导体元件，其至少具有权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物层叠体中的氮化铝单晶层、以及所述AlGaInBN层部分。
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