[发明专利]在显示区域中具有通孔的电致发光显示装置在审
申请号: | 201911060462.1 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN111146250A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 金仲基 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;刘敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 区域 具有 电致发光 显示装置 | ||
1.一种电致发光显示装置,包括:
基板,其具有显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述显示区域具有用于显示图像的多个像素;
布置在所述显示区域内的通孔;
包围所述通孔的内坝;以及
包围所述内坝的孔-沟槽,所述孔-沟槽随着所述基板部分地凹陷一定厚度而形成。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述显示区域包括:
用于表现图像信息的发光二极管;以及
用于驱动所述发光二极管的驱动元件,并且
其中,所述通孔是通过去除所述基板、所述发光二极管和所述驱动元件而形成。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽包括:
底表面,其限定在比所述基板的上表面更加凹陷一定深度的位置处;
上表面,其限定在所述基板的上表面上;以及
侧壁,其用于将所述底表面与所述上表面连接,并且
其中,所述发光二极管的发光层布置在除了所述侧壁之外的所述底表面和所述上表面上。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽具有井形状,所述井形状是通过将所述基板去除至少20%的厚度和至多70%的厚度而凹陷。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽布置在所述内坝和所述像素中的布置成靠近所述内坝的相邻像素之间。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽具有与所述通孔的形状对应的闭合曲线形状。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽具有包围所述通孔的多边形形状、圆形形状和椭圆形形状中的任何一种。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽的宽度窄于所述内坝的宽度。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述内坝包括:
与所述通孔相邻的第一内坝;以及
包围所述第一内坝的第二内坝。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述孔-沟槽布置在所述第一内坝与所述第二内坝之间。
11.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:
形成在所述基板上的薄膜晶体管层;
覆盖所述薄膜晶体管层的平坦化层;
阳极电极,其与布置在所述薄膜晶体管层中的薄膜晶体管连接,并且布置在所述平坦化层上;以及
堤部,其限定所述阳极电极中的发光区域,
其中,所述孔-沟槽穿过所述堤部、所述平坦化层和所述薄膜晶体管层,并且所述孔-沟槽是通过将所述基板去除一定厚度而形成。
12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置,其中,所述内坝还包括布置在所述平坦化层和所述堤部上的间隔物,所述间隔物包围所述通孔。
13.根据权利要求11所述的电致发光显示装置,还包括:
外坝,其布置在所述非显示区域中,并且包围所述显示区域;
发光层,其覆盖所述外坝与所述通孔之间的所述基板上的所述像素、所述内坝以及所述孔-沟槽;
布置在所述发光层上的阴极电极;以及
覆盖所述阴极电极的封装层。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置,其中,所述发光层从所述通孔的侧壁露出。
15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置,其中,所述封装层包括:
第一无机封装层;
有机封装层,其布置在所述第一无机封装层上;以及
第二无机封装层,其布置在所述有机封装层的上表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的