[发明专利]晶圆弯曲度调整装置及方法有效
申请号: | 201911060777.6 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN110752171B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 白靖宇 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李梅香;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯曲 调整 装置 方法 | ||
1.一种晶圆弯曲度调整装置,其特征在于,所述装置包括:
固定本体,对晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时,所述晶圆设置在所述固定本体上;
加热部件,设置在所述固定本体上;在对所述晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时,通过加热所述加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度,使所述薄膜在第一方向上的刻蚀厚度与所述晶圆上其它方向上的刻蚀厚度不同,以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述晶圆以待进行刻蚀的表面向上的方式设置在所述固定本体上,且所述晶圆与所述固定本体的上表面之间形成有中空结构;所述加热部件设置在所述固定本体的上表面上;所述固定本体上表面所在的圆的第一直径大于所述晶圆表面所在圆的第二直径。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述加热部件包含多个加热子部件,所述固定本体上表面被划分成多个子区域;所述多个加热子部件按预设规则设置在所述多个子区域上。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述固定本体的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域;所述多个加热子部件对称地、间距均匀地设置在所述多个两两对称的扇形子区域上;通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度。
5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述加热子部件为加热功率能够调整的发热灯。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述固定本体上表面上设置有孔结构,所述加热部件通过所述孔结构设置在所述固定本体上。
7.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。
8.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述装置还包含第一标记部件,所述第一标记部件设置在所述固定本体的上表面上,当所述晶圆设置在所述固定本体上时,所述第一标记部件与第二标记部件对齐;所述第二标记部件设置在所述晶圆上。
9.一种晶圆弯曲度调整方法,其特征在于,所述方法包括:
对设置在晶圆弯曲度调整装置的固定本体上的晶圆上沉积的薄膜进行刻蚀时,通过加热所述晶圆弯曲度调整装置的加热部件调整在所述晶圆上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度,使所述薄膜在第一方向上的刻蚀厚度与所述晶圆上其它方向上的刻蚀厚度不同,以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度;所述加热部件设置在所述固定本体上。
10.根据权利要求9的方法,其特征在于,所述固定本体的圆形上表面被划分成多对两两对称的扇形子区域;通过调整相应扇形子区域上加热子部件的加热功率改变所述晶圆上位于所述第一方向部分的温度,以调整所述晶圆表面上沉积的薄膜在第一方向上的刻蚀厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造