[发明专利]电阻元件在审
| 申请号： | 201911061029.X | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111341760A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 狩野太一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 元件 | ||
1.一种电阻元件，其特征在于，具备：
下层绝缘膜；
第一电阻层，其设置于所述下层绝缘膜上；
一方的第一电阻层用保护元件，其在所述第一电阻层的一方的侧壁面侧与所述第一电阻层并列地设置于所述下层绝缘膜上，所述一方的第一电阻层用保护元件是通过由第一导电型的层形成的第一导电型带与由第二导电型的层形成的第二导电型带的交替排列来将pn结串联连接而形成的；
层间绝缘膜，其设置为覆盖所述第一电阻层和所述一方的第一电阻层用保护元件；
第一外部连接电极，其设置于所述层间绝缘膜上，与所述第一电阻层的一方端子以及所述一方的第一电阻层用保护元件的一方端子分别电连接；以及
第二外部连接电极，其设置于所述层间绝缘膜上，与所述第一电阻层的另一方端子以及所述一方的第一电阻层用保护元件的另一方端子分别电连接。
2.根据权利要求1所述的电阻元件，其特征在于，
还具备半导体衬底，
所述下层绝缘膜设置于半导体衬底的上表面。
3.根据权利要求1或2所述的电阻元件，其特征在于，
还具备另一方的第一电阻层用保护元件，所述另一方的第一电阻层用保护元件在所述第一电阻层的另一方的侧壁面侧与所述第一电阻层并列地设置于所述下层绝缘膜上，所述另一方的第一电阻层用保护元件是通过所述第一导电型带与所述第二导电型带的交替排列来将pn结串联连接而形成的，
所述第一外部连接电极与所述另一方的第一电阻层用保护元件的一方端子电连接，所述第二外部连接电极与所述另一方的第一电阻层用保护元件的另一方端子电连接。
4.一种电阻元件，其特征在于，具备：
半导体衬底；
下层绝缘膜，其设置于所述半导体衬底的上表面；
第一电阻层，其设置于所述下层绝缘膜上；
一方的第一电阻层用保护元件，其在所述第一电阻层的一方的侧壁面侧与所述第一电阻层并列地设置于所述下层绝缘膜上，所述一方的第一电阻层用保护元件是通过由第一导电型的层形成的第一导电型带与由第二导电型的层形成的第二导电型带的交替排列来将pn结串联连接而形成的；
层间绝缘膜，其设置为覆盖所述第一电阻层和所述一方的第一电阻层用保护元件；
第一外部连接电极，其设置于所述层间绝缘膜上，与所述第一电阻层的一方端子以及所述一方的第一电阻层用保护元件的一方端子分别电连接；
中继布线，其设置于所述层间绝缘膜上，与所述第一电阻层的另一方端子以及所述一方的第一电阻层用保护元件的另一方端子分别电连接，且经由所述下层绝缘膜的窗部来与所述半导体衬底进行欧姆连接；以及
相向电极，其设置于所述半导体衬底的下表面。
5.根据权利要求4所述的电阻元件，其特征在于，
所述一方的第一电阻层用保护元件具有与所述第一外部连接电极连接的第一导电型的一方接触区、与所述中继布线连接的第一导电型的另一方接触区，
所述第一导电型带和所述第二导电型带交替地设置在所述一方接触区与所述另一方接触区之间。
6.根据权利要求4或5所述的电阻元件，其特征在于，
还具备另一方的第一电阻层用保护元件，所述另一方的第一电阻层用保护元件在所述第一电阻层的另一方的侧壁面侧与所述第一电阻层并列地设置于所述下层绝缘膜上，所述另一方的第一电阻层用保护元件是通过所述第一导电型带与所述第二导电型带的交替排列来将pn结串联连接而形成的，
所述第一外部连接电极与所述另一方的第一电阻层用保护元件的一方端子电连接，所述中继布线与所述另一方的第一电阻层用保护元件的另一方端子电连接。
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