[发明专利]一种多层瓷介电容器检测方法在审
申请号: | 201911061137.7 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN110940733A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 岳冰;贺洋;席雨;韩树强;陈晔 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01N29/06 | 分类号: | G01N29/06 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 电容器 检测 方法 | ||
本发明公开了一种多层瓷介电容器检测方法,包括根据待测电容器确定相应的检测扫描参数;根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置;利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测,得到扫描结果;对所述扫描结果进行验证。利用SONIX Q‑350声学扫描显微镜对多层瓷介电容器的内部结构进行扫描,能够保证完整、准确、清晰地显示多层瓷介(独石)电容器内部情况,方便观察是否存在裂缝、气隙及空洞等缺陷,对该类电容器的质量进行检测和把控。
技术领域
本发明涉及检测试验领域,特别是指一种多层瓷介电容器检测方法。
背景技术
随着多层瓷介(独石)电容器的制造技术的发展,多层瓷介电容器在工业生产尤其是航天工程领域中得到越来越广泛的应用,同时也为多层瓷介电容器的质量提出更加严格的要求。为保证多层瓷介电容器的质量,需要在使用前对多层瓷介电容器成品进行无损检测,尤其是针对电容器内部的裂缝、气隙或空洞等进行无损检测。
现有的无损检测技术主要有射线检验(RT)、超声检测(UT)、磁粉检测(MT)和液体渗透检测(PT)四种方法,其中磁粉检测方法和液体渗透检测方法主要用于对待测物体的表面进行检测,射线检验方法与超声检测方法可以用于对待测物体的内部结构进行检测。然而,射线检验方法对多层瓷介电容器内部缺陷不敏感,且检测成本较高,超声检测方法的检测结果受待测物体内存在的缺陷的位置、取向和形状以及待测物体材质和晶粒度的影响较大,得到的检测结果也不够直观。
声学扫描显微镜(SAM)是一种多功能、高分辨率的显微成像仪器,兼具电子显微术高分辨率和声学显微术非破坏性内部成像的特点,可以检测材料内部的晶格结构、杂质颗粒、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。然而现有的使用声学扫描显微镜进行检测的标准与方法并不适用于多层瓷介电容器的检测,无法对多层瓷介电容器的内部情况进行准确检测。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种能够对多层瓷介电容器的内部情况进行检测,得到完整、准确、清晰的检测结果的检测方法。
基于上述目的,本发明提供了一种多层瓷介电容器检测方法,包括:
根据待测电容器确定相应的检测扫描参数;
根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置;
利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测,得到扫描结果;
对所述扫描结果进行验证。
可选的,所述声学显微镜的型号为SONIX Q-350。
可选的,所述检测扫描参数包括准备参数、扫描模式参数与成像模式参数;
所述准备参数用于确定所选用的声学扫描探头规格;
所述扫描模式参数用于确定所述声学显微镜的扫描工作模式;
所述成像模式参数用于确定数据处理模块的数据处理工作模式。
可选的,所述准备参数包括:
所选用的所述声学扫描探头规格为75Mhz。
可选的,所述扫描模式参数包括:
所述声学显微镜的扫描ENERGY模式为勾选状态;
设定所述声学显微镜的扫描高通参数为5,扫描低通参数为300。
可选的,所述成像模式参数包括:
取消所述声学显微镜成像数据窗中的Phase Gate 1数据窗,并添加Data Gate 1与Data Gate2数据窗;
选取扫描模式为C-Scan模式。
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